IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODULIS Saulės energijai

Gamtos vieta:	Zhejiang
Branduolinis pavadinimas:	Inventchip Technologija
Modelio numeris:	IV1B12013HA1L
Sertifikacija:	AEC-Q101

Savybės

• Aukšta blokuojimo galva su maža įjungimo varžla

• Greitas perjungimas su maža talpa

• Didelė veikiančios jungties temperatūros galimybė

• Labai greitas ir galingas vidinysis kūbų diodas

Paraiškos

• Saulės energijos taikymai

• Nepertraukiamasis energijos tiekimas (UPS sistema)

• Variklių valdikliai

• Aukštos įtampos DC/DC konvertoriai

Pakuotė

Žymėjimo Diagrama

Absoliutiniausi Didžiausiniai Rodikliai (Tc=25°C nebent kitą nurodyta)

Simbolis	Parametras	Vertė	VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
VDS	Elektrinis įtampos tarp dreno ir šaltinio	1200	V
VGSmax (DC)	Maksimalus DC arba	-5 iki 22	V	Statinis (DC)
VGSmax (Smūgis)	Didžiausias sprendulio galvazodis	-10 iki 25	V	<1% darbo ciklas, ir impulsų plotis <200ns
VGSįjungimas	Rekomenduojama įjungimo įtampa	20±0.5	V
VGSimjungimas	Rekomenduojama išjungimo įtampa	-3.5 iki -2	V
Id	Srovės esamumas (tolydus)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Srovės esamumas (pulsuojantis)	204	A	Pulso plotis ribojamas dėl SOA	Fig.26
Ptot	Bendras galios sužadinimas	210	W	Tvj≤150℃	Fig.24
Tstg	Saugyklos temperatūros intervalas	-40 iki 150	°C
Tj	Maksimalus virtualus jungčių temperatūros pokytis perjungimo sąlygomis	-40 iki 150	°C	Veikimas
		-55 iki 175	°C	Tarptautinis su sumažintu gyvenimu

Termينinис Duomenis

Simbolis	Parametras	Vertė	VIENETAS	Pastaba
Rθ(J-H)	Termينinė varžymo iš jungčių į šaldiklį	0.596	°C/W	Fig.25

Elektriniai charakteristika (Tc=25°C nebent kitą nurodyta)

Simbolis	Parametras	Vertė			VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
		Min.	Tip.	Maks.
IDSS	Draino srovė su nulinėmis vartų voltaziais		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Slipinio srautas per vartus			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Vartų slinkimo įtampa	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
RON	Statinis šaltinio-artinio įjungimo varžymas		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Fig.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss	Įvesties talpa		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV	Ilg.16
Coss	Išvesties talpa		507		pF
Crss	Atvirkštinė perdavimo talpa		31		pF
Eoss	Coss saugoma energija		203		μJ		Figs. 17
Qg	Bendras varžos krūvis		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 iki 20V	Figs. 18
Qgs	Varojo ir šaltinio krūvis		100		nC
Qgd	Varojo ir dreno krūvis		192		nC
Rg	Varojo įvesties varžymas		1.0		ω	f=100kHZ
EON	Įjungimo perjungimo energija		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 iki 20V, RG(ext)įjung./ RG(ext) išjung. =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Išjungimo perjungimo energija		182		μJ
td(on)	Išjungimo laikas		30		nS
tr	Sukėlimo laikas		5.9
td(off)	Išjungimo delsinis laikas		37
tF	Kritimo laikas		21
LsCE	Stružlinė induktyvumas		7.6		nH

Atvirkštinio diodo charakteristikos (Tc=25°C nebent kitą nurodyta)

Simbolis	Parametras	Vertė			VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
		Min.	Tip.	Maks.
VSD	Diodo priekinė įtampa		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Figuра.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Atkūrimo laikas atvirkščiuju kryptimi		17.4		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Atkūrimo krūvis atvirkščiuju kryptimi		1095		nC
IRRM	Maksimalus atkūrimo srovės intensyvumas atvirkščiuju kryptimi		114		A

NTC termistoriaus savybės

Simbolis	Parametras	Vertė			VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
		Min.	Tip.	Maks.
RNTC	Nominalus pasipriešinimas		5		kΩ	TNTC = 25℃	Fig.27
δR/R	Pasipriešinimo tolerancija bei 25℃	-5		5	%
β25/50	Beta reikšmė		3380		K	± 1%
Pmax	Galingumo savybė		5		mW

Typical Performance (krivulinės)

         

Pakuotės matmenys (mm)