1200V 25mohm SiC MODUL Pemacu Motor

Tempat Asal:	Zhejiang
Nama Brand:	Inventchip Technology
Nombor Model:	IV1B12025HC1L
Penyeliaan:	AEC-Q101

Ciri-ciri

• Voltan blokkan tinggi dengan rintangan hidup rendah

• Penukaran laju tinggi dengan kapasitance rendah

• Kemampuan suhu persimpangan operasi tinggi

• Diode badan intrinsik yang sangat cepat dan kukuh

Aplikasi

• Aplikasi Solar

• Sistem UPS

• Pemandu Motor

• Penukar DC/DC voltan tinggi

Pakej

Penarafan Maksimum mutlak (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	Nilai	Unit	Keadaan Ujian	Nota
VDS	Voltan Drain-Sumber	1200	V	VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC)	Voltan DC maksimum	-5 hingga 22	V	Statik (DC)
VGSmax (Spike)	Voltan puncak maksimum	-10 hingga 25	V	<1% kitaran kerja, dan lebar pulsa <200ns
VGSon	Voltan hidupan yang disyorkan	20±0.5	V
VGSoff	Voltan mati yang disyorkan	-3.5 hingga -2	V
Id	Arus penguras (terus-menerus)	74	A	VGS =20V, TC =25°C
		50	A	VGS =20V, TC =94°C
IDM	Arus penjinak (tertumpu)	185	A	Lebar denyutan terhad oleh SOA	Raj.26
Ptot	Jumlah pembebasan kuasa	250	W	TC =25°C	Raj.24
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-40 hingga 150	°C
Tj	Suhu persimpangan maya maksimum di bawah keadaan bertukar	-40 hingga 150	°C	Operasi
		-55 hingga 175	°C	Penggunaan tidak selanjar dengan umur yang berkurang

Data haba

Simbol	Parameter	Nilai	Unit	Nota
Rθ(J-C)	Hambatan Tepi dari Junction ke Kes	0.5	°C/W	Raj.25

Ciri-ciri Elektrik (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	Nilai			Unit	Keadaan Ujian	Nota
		Min.	- TIP.	Max.
IDSS	Arus pengurasan voltan sifar gerbang		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Pasaran kebocoran pintu		2	±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Voltan ambang pintu		3.2		V	VGS=VDS , ID =12mA	Raj.9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Ron	Hambatan statik sumber-pengimbas pada		25	33	mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C	Rajah.4-7
			36		mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss	Kapasiti input		5.5		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Rajah.16
Coss	Kapacitans Output		285		pF
Crss	Kapasiti pemindahan terbalik		20		pF
Eoss	Tenaga ter simpan Coss		105		μJ		Rajah 17
Qg	Cas gate jumlah		240		nC	VDS = 800V, ID = 40A, VGS = -5 hingga 20V	Rajah 18
Qgs	Cas gate-source		50		nC
Qgd	Cas gate-drain		96		nC
Rg	Tahanan input gate		1.4		ω	f=100kHZ
EON	Tenaga Pertukaran Hidup		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 hingga 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Rajah.19-22
EOFF	Tenaga Pertukaran Mati		135		μJ
td ((on)	Masa kelewatan penyambutan		15		n
tr	Masa naik		4.1
td ((off)	Masa kelewatan penutupan		24
tF	Waktu kejatuhan		17
LsCE	Induktans Terbuang		8.8		nH

Ciri-ciri Diod Terbalik (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	Nilai			Unit	Keadaan Ujian	Nota
		Min.	- TIP.	Max.
VSD	Voltan dioda ke hadapan		4.9		V	ISD =40A, VGS =0V	Rajah.10- 12
			4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Masa Pemulihan Balik		18		n	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Cas Charge Pemulihan Balik		1068		nC
IRRM	Arus pulih terbalik puncak		96.3		A

Ciri-ciri Termistor NTC

Simbol	Parameter	Nilai			Unit	Keadaan Ujian	Nota
		Min.	- TIP.	Max.
RNTC	Rintangan bertaraf		5		kΩ	TNTC =25℃	Rajah.27
δR/R	Toleransi Rintangan pada 25℃	-5		5	%
β25/50	Nilai Beta		3380		K	±1%
Pmax	Disipasi kuasa		5		mW

Penjanaan Tipikal (lengkung)

         

Dimensi Pakej (mm)

NOTA

Untuk maklumat lanjut, sila hubungi Pejabat Penjualan IVCT.

Hak Cipta©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Semua hak terpelihara.

Maklumat dalam dokumen ini tunduk kepada perubahan tanpa notis.

Pautan Terkait

http://www.inventchip.com.cn