IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODUL Solar

Tempat Asal:	Zhejiang
Nama Brand:	Inventchip Technology
Nombor Model:	IV1B12013HA1L
Penyeliaan:	AEC-Q101

Ciri-ciri

• Voltan blokkan tinggi dengan rintangan hidup rendah

• Penukaran laju tinggi dengan kapasitance rendah

• Kemampuan suhu persimpangan operasi tinggi

• Diode badan intrinsik yang sangat cepat dan kukuh

Aplikasi

• Aplikasi Solar

• Sistem UPS

• Pemandu Motor

• Penukar DC/DC voltan tinggi

Pakej

Rajah Tanda

Penarafan Maksimum mutlak (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	Nilai	Unit	Keadaan Ujian	Nota
VDS	Voltan Drain-Sumber	1200	V
VGSmax (DC)	Voltan DC maksimum	-5 hingga 22	V	Statik (DC)
VGSmax (Spike)	Voltan puncak maksimum	-10 hingga 25	V	<1% kitaran kerja, dan lebar pulsa <200ns
VGSon	Voltan hidupan yang disyorkan	20±0.5	V
VGSoff	Voltan mati yang disyorkan	-3.5 hingga -2	V
Id	Arus penguras (terus-menerus)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Arus penjinak (tertumpu)	204	A	Lebar denyutan terhad oleh SOA	Raj.26
Ptot	Jumlah pembebasan kuasa	210	W	Tvj≤150℃	Raj.24
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-40 hingga 150	°C
Tj	Suhu persimpangan maya maksimum di bawah keadaan bertukar	-40 hingga 150	°C	Operasi
		-55 hingga 175	°C	Penggunaan tidak selanjar dengan umur yang berkurang

Data haba

Simbol	Parameter	Nilai	Unit	Nota
Rθ(J-H)	Perintang haba dari Persimpangan ke Penyejuk	0.596	°C/W	Raj.25

Ciri-ciri Elektrik (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	Nilai			Unit	Keadaan Ujian	Nota
		Min.	- TIP.	Max.
IDSS	Arus pengurasan voltan sifar gerbang		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Pasaran kebocoran pintu			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Voltan ambang pintu	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Raj.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Ron	Hambatan statik drain-sumber pada keadaan hidup		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Rajah.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss	Kapasiti input		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Rajah.16
Coss	Kapacitans Output		507		pF
Crss	Kapasiti pemindahan terbalik		31		pF
Eoss	Tenaga ter simpan Coss		203		μJ		Rajah 17
Qg	Cas gate jumlah		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 hingga 20V	Rajah 18
Qgs	Cas gate-source		100		nC
Qgd	Cas gate-drain		192		nC
Rg	Tahanan input gate		1.0		ω	f=100kHZ
EON	Tenaga Pertukaran Hidup		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 hingga 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Rajah.19-22
EOFF	Tenaga Pertukaran Mati		182		μJ
td ((on)	Masa kelewatan penyambutan		30		n
tr	Masa naik		5.9
td ((off)	Masa kelewatan penutupan		37
tF	Waktu kejatuhan		21
LsCE	Induktans Terbuang		7.6		nH

Ciri-ciri Diod Terbalik (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	Nilai			Unit	Keadaan Ujian	Nota
		Min.	- TIP.	Max.
VSD	Voltan dioda ke hadapan		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Rajah.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Masa Pemulihan Balik		17.4		n	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Cas Charge Pemulihan Balik		1095		nC
IRRM	Arus pulih terbalik puncak		114		A

Ciri-ciri Termistor NTC

Simbol	Parameter	Nilai			Unit	Keadaan Ujian	Nota
		Min.	- TIP.	Max.
RNTC	Rintangan bertaraf		5		kΩ	TNTC =25℃	Rajah.27
δR/R	Toleransi Rintangan pada 25℃	-5		5	%
β25/50	Nilai Beta		3380		K	±1%
Pmax	Disipasi kuasa		5		mW

Penjanaan Tipikal (lengkung)

         

Dimensi Pakej (mm)