1200V 40A လှိုင်မီချက် SiC Schottky Diode

အင်္ဂါရပ်များ

အသုံးပြုမှုများ

အတိုချုံး

Marking Diagram

Absolute Maximum Ratings (TC=25°C မဟုတ်လျှင် အခြားသတ်မှတ်မှုများဖြင့်)

သင်္ကေတ	ပါရမီတာ	တန်ဖိုး	ယူနစ်
VRRM	ပြန်လည်ထုတ်လုပ်သော အားကောင်း (ထပ်တူ ပိတ်ချိန်)	1200	V
VDC	ဒစ်စ် ဘလောက်ခ်င်းရှိ အားဖြင့်	1200	V
If	ရှေ့ဆုံး လျှော့ချမှု (တန်းဆက်ထားသည်) @Tc=25°C	54*	A
	ရှေ့ဆုံး လျှော့ချမှု (တန်းဆက်ထားသည်) @Tc=135°C	28*	A
	ရှေ့ဆုံး လျှော့ချမှု (တန်းဆက်ထားသည်) @Tc=151°C	20*	A
IFSM	ပြန်လာမှုမရှိသော ရှေ့ဆုံး လျှော့ချမှု ဆိုင်းဝိုင်း @Tc=25°C tp=10ms	140*	A
IFRM	လှည့်စက်သော အရှေ့ပြန်လာမှုလျှော့ချချိန် (Freq=0.1Hz, 100cycles) sine halfwave @Tamb =25°C tp=10ms	115*	A
PTOT	စုစုပေါင်းအင်အားဆိုင်ရာ @ Tc=25°C	272*	W
	စုစုပေါင်းအင်အားဆိုင်ရာ @ Tc=150°C	45*
	I2t တန်ဖိုး @Tc=25°C tp=10ms	98*	A2s
Tstg	သိုလှောင်မှု အပူချိန်အကွာအဝေး	-55 သို့မဟုတ် 175	°C
TJ	လုပ်ဆောင်နေစဉ် junction အပူချိန်အကြားအကွာ	-55 သို့မဟုတ် 175	°C

*တစ်ခုလျှင်

Maximum Ratings ဇယားကွက်တွင်ဖော်ပြထားသော တန်ဖိုးများကို ရှားပါမည့်အချိန်တွင် ဒီไวစ်သည် ဆောင်ရွက်ရှိနိုင်သည်။ အဲဒီတွေထက်ပိုပြီးသွားရင် ဒီဝိုင်စ်

လုပ်ဆောင်မှုကို မှန်ကန်မှုမှာ မှတ်ယူထားနိုင်ပါဘူး၊ ဆောင်ရွက်ရှိနိုင်ပြီး မှန်ကန်မှုကိုလည်း ရောက်ရှိနိုင်ပါသည်။

လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ

သင်္ကေတ	ပါရမီတာ	အမျိုးအစား	မက်တယ်။	ယူနစ်	စမ်းသပ်အခြေအနေများ	မှတ်ချက်
VF	ရှေ့ဆုံး အားဖြင့် အားလုံးကို တွက်ချက်ထားသည်။	1.48*	1.8*	V	IF = 20 A TJ =25°C	သူ့ 1
		2.1*	3.0*		IF = 20 A TJ =175°C
လေ	နောက်ဆုံး လျှောက်လွှာ	၁၀*	၂၀၀*	μA	VR = ၁၂၀၀ V TJ =၂၅°𝐶	အမျိုးသား ၂
		45*	၈၀၀*		VR = ၁၂၀၀ V TJ =၁၇၅°𝐶
စီ	စုစုပေါင်းလေ့လာရည်	၁၁၁၄*		pf	VR = ၁ V, TJ = ၂၅°𝐶, f = ၁ MHz	အိုင် 3
		100*			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77*			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QL	စုစုပေါင်း ရာသီယာလျှော့ချမှု	107*		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	အိုင် 4
EC	အားဖြင့် သိုလှောင်ထားသော စံပိတ်မှု	31*		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	အမျဉ်းချုပ် 5

*တစ်ခုလျှင်

အိုင်းရောင်းဂုဏ်သို့ ပတ်ဝန်းကျင် (တစ်ခုလုံးလျှင်)

သင်္ကေတ	ပါရမီတာ	အမျိုးအစား	ယူနစ်	မှတ်ချက်
Rth(j-c)	ဆက်သွယ်မှုအပူချိန် ဇုံမှ ကেစ်ထိုးသို့ရဲ့ ကိန်းတန်း	0.55	°C/W	အမှန် ၇