1200V 160mΩ Gen2 Automotief SiC MOSFET

Minimale bestelhoeveelheid:	450 stuks
Prijs:
Verpakkingsdetails:
Leveringstijd:
Betaalvoorwaarden:
Leveringscapaciteit:

Kenmerken

Toepassingen

Schets:

Markeringsschema:

Absolute maximale ratings (TC=25°C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
VDS	Aansluitingspanning	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maximale dc-spanning	-5 tot 20	V	Statisch (DC)
VGSmax (Piek)	Maximale piekspanning	-10 tot 23	V	Dutycycle<1%, en pulsgrootte<200ns
VGSaan	Aanbevolen aanzettingspanning	18±0.5	V
VGSuit	Aanbevolen uitzettingspanning	-3.5 tot -2	V
ID	Drainspanning (continu)	19	Een	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		14	Een	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Afrasterstroom (gepulst)	47	Een	Pulsgrootte beperkt door SOA	Fig. 26
Ptot	Totale vermogensverliezen	136	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Opslagtemperatuurbereik	-55 tot 175	°C
Tj	Werkschakeltemperatuur	-55 tot 175	°C
TL	Loddestemperatuur	260	°C	golflooden alleen toegestaan aan aansluitingen, 1.6mm van de behuizing voor 10 s

Thermische gegevens

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid	Opmerking
Rθ(J-C)	Thermische weerstand van junction naar case	1.1	°C/W	Fig. 25

Elektrische Kenmerken (TC =25。C tenzij anders vermeld)

Symbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
		Min.	- Een type.	Max.
IDSS	Drainstroom bij nul gate-spanning		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Doorlaatstroom			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	De grensspanning van de poort	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Fig. 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
Ron	Statische drain-source-aan-weerstand		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175。C
Ciss	Ingangs capaciteit		575		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Uitgangscondensator		34		pF
Crss	Omgekeerde overdracht capaciteit		2.3		pF
Eoss	Coss opgeslagen energie		14		μJ		Fig. 17
Qg	Totale gatespanningsoplaadcapaciteit		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 tot 18V	Fig. 18
Qgs	Gate-source lading		6.6		nC
Qgd	Gate-drain lading		14.4		nC
Rg	Gate ingangweerstand		10		ω	f=1MHz
EON	Inschakelovergangsenergie		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 tot 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Uitschakelovergangsenergie		22		μJ
td (aan)	Tijd voor de inlichtingsachterstand		2.5		n
- Het is...	Opstijgtijd		9.5
td (uit)	Vertragingstijd voor uitschakeling		7.3
tF	Ouderdom		11.0
EON	Inschakelovergangsenergie		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 tot 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Uitschakelovergangsenergie		19		μJ

Karakteristieken van omgekeerde diode (TC =25。C tenzij anders vermeld)

Symbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
VSD	Diode-spanning naar voren		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode-spanning naar voren		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Teruglooptijd		26		n	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Teruglooplading		92		nC
IRRM	Pieks omkeringsherstelstroom		10.6		Een