SiC SBD

1200V 10A SiC Schottky Dioden AC/DC Omvormers

Inleiding

Plaats van oorsprong:	Zhejiang
Merknaam:	Inventchip Technology
Modelnummer:	IV1D12010T2
Certificering:

Minimumpacking Hoeveelheid:	450 stuks
Prijs:
Verpakkingsdetails:
Leveringstijd:
Betaalvoorwaarden:
Leveringscapaciteit:

Kenmerken

Maximale junctionstemperatuur 175°C
Hoge overstromingsstroomcapaciteit
Nul terugloopstroom
Nul voorwaartse herstelspanning
Hoogfrequente werking
temperatuur onafhankelijk schakelgedrag
Positieve temperatuurcoëfficiënt op VF

Toepassingen

Zonnepower Versterking
Inverter vrije wielendioden
Vienna 3-Fase PFC
AC/DC Converters
Schakelmodusvoedingen

Overzicht

Markeringsschema

Absolute maximale ratings (TC=25°C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid
VRRM	Omgekeerde spanning (herhalende piek)	1200	V
VDC	DC-blokkeerspanning	1200	V
IF	Voorwaartse stroom (continu) @Tc=25°C	30	A
	Voorwaartse stroom (continu) @Tc=135°C	15.2	A
	Voorwaartse stroom (continu) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Stoot niet-herhalende voorwaartse stroom sinus halfgolf @Tc=25°C tp=10ms	72	A
IFRM	Stoot herhalende voorwaartse stroom (Frequentie=0.1Hz, 100 cycli) sinus halfgolf @Tamb =25°C tp=10ms	56	A
Ptot	Totale vermogensdissipatie @ Tc=25°C	176	W
	Totale vermogensdissipatie @ Tc=150°C	29
	I2t waarde @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
TSTG	Opslagtemperatuurbereik	-55 tot 175	°C
Tj	Bereik van de bedradingstemperatuur	-55 tot 175	°C

Stress die de waarden in de Maximum Ratings tabel overtreft, kan het apparaat beschadigen. Als een van deze limieten wordt overschreden, mag geen functionaliteit worden aangenomen; er kan schade optreden en betrouwbaarheid kan worden beïnvloed.

Elektrische Kenmerken

Symbool	Parameter	- Een type.	Max.	Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
VF	Voorwaartse Spanning	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Fig. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
Ir	Terugstroom	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Fig. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Totale capaciteit	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Fig. 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
Kwaliteitscontrole	Totale Capacitieve Lading	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Fig. 4
Ec	Energie van Capaciteit Opgeslagen	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Fig. 5