1200V 40mΩ Gen2 Automotief SiC MOSFET

Kenmerken

Toepassingen

Schets:

Markeringsschema:

Absolute maximale ratings (TC=25°C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
VDS	Aansluitingspanning	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Tijdelijk)	Maximale tussentijdse spanning	-10 tot 23	V	Dutycycle<1%, en pulsgrootte<200ns
VGSaan	Aanbevolen aanzettingspanning	15 tot 18	V
VGSuit	Aanbevolen uitzettingspanning	-5 tot -2	V	Typisch -3,5V
ID	Drainspanning (continu)	65	Een	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
ID	Drainspanning (continu)	48	Een	VGS =18V, TC =100°C	Fig. 23
IDM	Afrasterstroom (gepulst)	162	Een	Pulsbreedte beperkt door SOA en dynamische Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Body-diode-stroom (gepulst)	162	Een	Pulsbreedte beperkt door SOA en dynamische Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
Ptot	Totale vermogensverliezen	375	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Opslagtemperatuurbereik	-55 tot 175	°C
Tj	Werkschakeltemperatuur	-55 tot 175	°C
TL	Loddestemperatuur	260	°C	golflooden alleen toegestaan aan aansluitingen, 1.6mm van de behuizing voor 10 s

Thermische gegevens

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid	Opmerking
Rθ(J-C)	Thermische weerstand van junction naar case	0.4	°C/W	Fig. 25

Elektrische Kenmerken (TC = 25。C tenzij anders vermeld)

Symbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
IDSS	Drainstroom bij nul gate-spanning		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Doorlaatstroom			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	De grensspanning van de poort	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =9mA	Fig. 8, 9
VTH	De grensspanning van de poort		2.1			VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
Ron	Statische drain-source-aan-weerstand		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C
Ciss	Ingangs capaciteit		2160		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Uitgangscondensator		100		pF
Crss	Omgekeerde overdracht capaciteit		5.8		pF
Eoss	Coss opgeslagen energie		40		μJ		Fig. 17
Qg	Totale gatespanningsoplaadcapaciteit		110		nC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 tot 18V	Fig. 18
Qgs	Gate-source lading		25		nC
Qgd	Gate-drain lading		59		nC
Rg	Gate ingangweerstand		2.1		ω	f=1MHz
EON	Inschakelovergangsenergie		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 tot 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Uitschakelovergangsenergie		70.0		μJ
td (aan)	Tijd voor de inlichtingsachterstand		9.6		n
- Het is...	Opstijgtijd		22.1
td (uit)	Vertragingstijd voor uitschakeling		19.3
tF	Ouderdom		10.5
EON	Inschakelovergangsenergie		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 tot 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Uitschakelovergangsenergie		73.8		μJ		Fig. 22

Omvormingsdiodekenmerken (TC =25。C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
VSD	Diode-spanning naar voren		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode-spanning naar voren		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
IS	Diode voorspoedstroom (continu)			63	Een	VGS =-2V, TC =25。C
IS	Diode voorspoedstroom (continu)			36	Een	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Teruglooptijd		42.0		n	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Teruglooplading		198.1		nC
IRRM	Pieks omkeringsherstelstroom		17.4		Een