650V 25mΩ Gen2 Automotief SiC MOSFET

Kenmerken

Toepassingen

Schets:

Markeringsschema:

Absolute maximale ratings (TC=25°C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
VDS	Aansluitingspanning	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maximale dc-spanning	-5 tot 20	V	Statisch (DC)
VGSmax (Piek)	Maximale piekspanning	-10 tot 23	V	Dutycycle<1%, en pulsgrootte<200ns
VGSaan	Aanbevolen aanzettingspanning	18±0.5	V
VGSuit	Aanbevolen uitzettingspanning	-3.5 tot -2	V
ID	Drainspanning (continu)	99	Een	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		72	Een	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Afrasterstroom (gepulst)	247	Een	Pulsgrootte beperkt door SOA	Fig. 26
Ptot	Totale vermogensverliezen	454	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Opslagtemperatuurbereik	-55 tot 175	°C
Tj	Werkschakeltemperatuur	-55 tot 175	°C
TL	Loddestemperatuur	260	°C	golflooden alleen toegestaan aan aansluitingen, 1.6mm van de behuizing voor 10 s

Thermische gegevens

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid	Opmerking
Rθ(J-C)	Thermische weerstand van junction naar case	0.33	°C/W	Fig. 25

Elektrische Kenmerken (TC =25。C tenzij anders vermeld)

Symbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
IDSS	Drainstroom bij nul gate-spanning		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Doorlaatstroom			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	De grensspanning van de poort	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	De grensspanning van de poort		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
Ron	Statische drain-source aansluitweerstand		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ron	Statische drain-source aansluitweerstand		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	Ingangs capaciteit		3090		pF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Uitgangscondensator		251		pF
Crss	Omgekeerde overdracht capaciteit		19		pF
Eoss	Coss opgeslagen energie		52		μJ		Fig. 17
Qg	Totale gatespanningsoplaadcapaciteit		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 tot 18V	Fig. 18
Qgs	Gate-source lading		35.7		nC
Qgd	Gate-drain lading		38.5		nC
Rg	Gate ingangweerstand		1.5		ω	f=1MHz
EON	Inschakelovergangsenergie		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3,5 tot 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Uitschakelovergangsenergie		95.0		μJ
td (aan)	Tijd voor de inlichtingsachterstand		12.9		n
- Het is...	Opstijgtijd		26.5
td (uit)	Vertragingstijd voor uitschakeling		23.2
tF	Ouderdom		11.7
EON	Inschakelovergangsenergie		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 tot 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Uitschakelovergangsenergie		99.7		μJ		Fig. 22

Karakteristieken van omgekeerde diode (TC =25。C tenzij anders vermeld)

Symbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
VSD	Diode-spanning naar voren		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode-spanning naar voren		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Teruglooptijd		32		n	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Teruglooplading		195.3		nC
IRRM	Pieks omkeringsherstelstroom		20.2		Een