1200V 160mΩ Gen2 Automobil SiC MOSFET

Egenskaper

Applikasjoner

Omriss:

Merketegningsskjema:

Absolutte maksimale verdier (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi	Enhet	Testbetingelser	Merk
VDS	Spenningsforskjell mellom drain og kilde	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimal DC-spenning	-5 til 20	V	Stilleliggende (DC)
VGSmax (Spikk)	Maksimal spissespenning	-10 til 23	V	Lastgrad<1%, og pulsbredde<200ns
VGSon	Anbefalt skru-på spenning	18±0,5	V
VGSoff	Anbefalt skru-av spenning	-3.5 til -2	V
ID	Avledningsstrøm (kontinuerlig)	19	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		14	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Avledningsstrøm (pulsert)	47	A	Pulsbredde begrenset av SOA	Fig. 26
Ptot	Total effektdissipasjon	136	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Lagertemperaturområde	-55 til 175	°C
Tj	Driftende kobletemperatur	-55 til 175	°C
TL	Løtnings temperatur	260	°C	bølgesoldering kun tillatt ved ledninger, 1.6mm fra huset i 10 sekunder

Termisk data

Symbol	Parameter	Verdi	Enhet	Merk
Rθ(J-C)	Termisk motstand fra forbindelse til husking	1.1	°C/W	Fig. 25

Elektriske eigenskapar (TC =25。C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merk
		Min.	Typ.	Maks.
IDSS	Nullegate-spenning drainstrøm		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Gateteknisk strøm			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Gateskleringsvoltasje	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Fig. 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
Ron	Statisk drain-kilde på-motstand		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175。C
Ciss	Inngangskapasitet		575		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Utgangskapasitet		34		pF
Crss	Omvendt overføringskapasitans		2.3		pF
Eoss	Coss lagret energi		14		μJ		Fig. 17
Qg	Total spesifikasjon av gate-ladning		29		nC:	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 til 18V	Fig. 18
Qgs	Gate-kilde ladning		6.6		nC:
Qgd	Gate-drain ladning		14.4		nC:
Rg	Gate inndata motstand		10		ω	f=1MHz
EON	Slå-på skifteenergi		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 til 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Slukkingsenergi for skifting		22		μJ
td(on)	Forsinkelsestid ved tænding		2.5		nS
tR	Stigningstid		9.5
td(off)	Forsinkelsestid ved slukking		7.3
tF	Falltid		11.0
EON	Slå-på skifteenergi		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 til 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Slukkingsenergi for skifting		19		μJ

Omvendt diodekarakteristikk (TC =25。C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merk
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	Enhet	Testbetingelser	Merk
VSD	Diode fremover spenning		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode fremover spenning		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Omvendt gjenopptakstid		26		nS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Gjenopprettingsladning i motsatt retning		92		nC:
IRRM	Maksimal gjenopprettingsstrøm i motsatt retning		10.6		A