SiC SBD

1200V 10A SiC Schottky-dioder AC/DC Konvertere

Innledning

Hjemmeland:	Zhejiang
Merkenavn:	Inventchip Technology
Modellnummer:	IV1D12010T2
Sertifisering:

Minimumpakkeantall:	450 stk
Pris:
Pakkeopplysninger:
Leveringstid:
Betalingsvilkår:
Leveranseevne:

Funksjoner

Maksimal koblings temperatur 175°C
Høy overstrømskapasitet
Null reversgjenopptakelsesstrøm
Null fremadoppføringsspennings
Høyfrekvensdrift
temperaturuavhengig skruvebete
Positiv temperaturkoeffisient på VF

Anvendelser

Solstrømforsterking
Inverter Frihjul Dioder
Wien 3-fase PFC
AC/DC Konvertere
Switch Mode Strømforsyninger

Omriss

Merkelsesdiagram

Absolutte maksimale verdier (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi	Enhet
VRRM	Omvendt spenning (gjentasende topp)	1200	V
VDC	DC blokkeringsspenningsverdi	1200	V
Hvis	Framoverstrøm (kontinuerlig) @Tc=25°C	30	A
	Framoverstrøm (kontinuerlig) @Tc=135°C	15.2	A
	Framoverstrøm (kontinuerlig) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Sprang ikke-gjentakelig framoverstrøm sinus halvbo @Tc=25°C tp=10ms	72	A
IFRM	Gjentakelig sprang framoverstrøm (Frekvens=0.1Hz, 100 sykler) sinus halvbo @Tamb =25°C tp=10ms	56	A
Ptot	Total effektforbrukning @ Tc=25°C	176	W
	Total effektforbrukning @ Tc=150°C	29
	I2t-verdi @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
Tstg	Lagertemperaturområde	-55 til 175	°C
Tj	Driftstemperaturfor grense for ferdigblanding	-55 til 175	°C

Stress over de oppført i tabellen for maksimale verdier kan skade enheten. Hvis noen av disse grensene overskrides, bør funksjonaliteten til enheten ikke antas, skader kan oppstå og påliteligheten kan påvirkes.

Elektriske eigenskapar

Symbol	Parameter	Typ.	Maks.	Enhet	Testbetingelser	Merk
VF	Framspenning	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Fig. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
Luft	Omvendt strøm	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Fig. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Total kapasitans	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Fig. 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Total kapasitiv ladning	62		nC:	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Fig. 4
Ec	Lagret kapasitetsenergi	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Fig. 5