1200V 40mΩ Gen2 Bils SiC MOSFET

Egenskaper

Applikasjoner

Omriss:

Merketegningsskjema:

Absolutte maksimale verdier (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi	Enhet	Testbetingelser	Merk
VDS	Spenningsforskjell mellom drain og kilde	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Midlertidig)	Maksimal midlertidig spenning	-10 til 23	V	Lastgrad<1%, og pulsbredde<200ns
VGSon	Anbefalt skru-på spenning	15 til 18	V
VGSoff	Anbefalt skru-av spenning	-5 til -2	V	Typisk -3,5V
ID	Avledningsstrøm (kontinuerlig)	65	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
ID	Avledningsstrøm (kontinuerlig)	48	A	VGS =18V, TC =100°C	Fig. 23
IDM	Avledningsstrøm (pulsert)	162	A	Pulsbredde begrenset av SOA og dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Strøm i kroppsdioden (pulsert)	162	A	Pulsbredde begrenset av SOA og dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
Ptot	Total effektdissipasjon	375	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Lagertemperaturområde	-55 til 175	°C
Tj	Driftende kobletemperatur	-55 til 175	°C
TL	Løtnings temperatur	260	°C	bølgesoldering kun tillatt ved ledninger, 1.6mm fra huset i 10 sekunder

Termisk data

Symbol	Parameter	Verdi	Enhet	Merk
Rθ(J-C)	Termisk motstand fra forbindelse til husking	0.4	°C/W	Fig. 25

Elektriske egenskaper (TC = 25。C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merk
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	Enhet	Testbetingelser	Merk
IDSS	Nullegate-spenning drainstrøm		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Gateteknisk strøm			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Gateskleringsvoltasje	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =9mA	Fig. 8, 9
VTH	Gateskleringsvoltasje		2.1			VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
Ron	Statisk drain-kilde på-motstand		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C
Ciss	Inngangskapasitet		2160		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Utgangskapasitet		100		pF
Crss	Omvendt overføringskapasitans		5.8		pF
Eoss	Coss lagret energi		40		μJ		Fig. 17
Qg	Total spesifikasjon av gate-ladning		110		nC:	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 til 18V	Fig. 18
Qgs	Gate-kilde ladning		25		nC:
Qgd	Gate-drain ladning		59		nC:
Rg	Gate inndata motstand		2.1		ω	f=1MHz
EON	Slå-på skifteenergi		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 til 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Slukkingsenergi for skifting		70.0		μJ
td(on)	Forsinkelsestid ved tænding		9.6		nS
tR	Stigningstid		22.1
td(off)	Forsinkelsestid ved slukking		19.3
tF	Falltid		10.5
EON	Slå-på skifteenergi		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 til 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Slukkingsenergi for skifting		73.8		μJ		Fig. 22

Omvendt diodekarakteristikk (TC =25。C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merk
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	Enhet	Testbetingelser	Merk
VSD	Diode fremover spenning		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode fremover spenning		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
IS	Diode fremover strøm (kontinuerlig)			63	A	VGS =-2V, TC =25。C
IS	Diode fremover strøm (kontinuerlig)			36	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Omvendt gjenopptakstid		42.0		nS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Gjenopprettingsladning i motsatt retning		198.1		nC:
IRRM	Maksimal gjenopprettingsstrøm i motsatt retning		17.4		A