650V 25mΩ Gen2 Bils SiC MOSFET

Egenskaper

Applikasjoner

Omriss:

Merketegningsskjema:

Absolutte maksimale verdier (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi	Enhet	Testbetingelser	Merk
VDS	Spenningsforskjell mellom drain og kilde	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimal DC-spenning	-5 til 20	V	Stilleliggende (DC)
VGSmax (Spikk)	Maksimal spissespenning	-10 til 23	V	Lastgrad<1%, og pulsbredde<200ns
VGSon	Anbefalt skru-på spenning	18±0,5	V
VGSoff	Anbefalt skru-av spenning	-3.5 til -2	V
ID	Avledningsstrøm (kontinuerlig)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Avledningsstrøm (pulsert)	247	A	Pulsbredde begrenset av SOA	Fig. 26
Ptot	Total effektdissipasjon	454	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Lagertemperaturområde	-55 til 175	°C
Tj	Driftende kobletemperatur	-55 til 175	°C
TL	Løtnings temperatur	260	°C	bølgesoldering kun tillatt ved ledninger, 1.6mm fra huset i 10 sekunder

Termisk data

Symbol	Parameter	Verdi	Enhet	Merk
Rθ(J-C)	Termisk motstand fra forbindelse til husking	0.33	°C/W	Fig. 25

Elektriske eigenskapar (TC =25。C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merk
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	Enhet	Testbetingelser	Merk
IDSS	Nullegate-spenning drainstrøm		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Gateteknisk strøm			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Gateskleringsvoltasje	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	Gateskleringsvoltasje		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
Ron	Statisk drain-kilde på-motstand		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ron	Statisk drain-kilde på-motstand		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	Inngangskapasitet		3090		pF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Utgangskapasitet		251		pF
Crss	Omvendt overføringskapasitans		19		pF
Eoss	Coss lagret energi		52		μJ		Fig. 17
Qg	Total spesifikasjon av gate-ladning		125		nC:	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 til 18V	Fig. 18
Qgs	Gate-kilde ladning		35.7		nC:
Qgd	Gate-drain ladning		38.5		nC:
Rg	Gate inndata motstand		1.5		ω	f=1MHz
EON	Slå-på skifteenergi		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 til 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Slukkingsenergi for skifting		95.0		μJ
td(on)	Forsinkelsestid ved tænding		12.9		nS
tR	Stigningstid		26.5
td(off)	Forsinkelsestid ved slukking		23.2
tF	Falltid		11.7
EON	Slå-på skifteenergi		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 til 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Slukkingsenergi for skifting		99.7		μJ		Fig. 22

Omvendt diodekarakteristikk (TC =25。C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merk
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	Enhet	Testbetingelser	Merk
VSD	Diode fremover spenning		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode fremover spenning		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Omvendt gjenopptakstid		32		nS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Gjenopprettingsladning i motsatt retning		195.3		nC:
IRRM	Maksimal gjenopprettingsstrøm i motsatt retning		20.2		A