1200V 160mΩ Gen2 Automotywiczny SiC MOSFET

Cechy

Zastosowania

Zarys:

Schemat oznaczeń:

Bezwzględne Wartości Maksymalne (Tc=25°C chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol	Parametr	Wartość	Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
VDS	Napięcie między drainersem a źródłem	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksymalne napięcie DC	-5 to 20	V	Statyczne (DC)
VGSmax (Szczyt)	Maksymalne napięcie szczytowe	-10 do 23	V	Czas pracy<1%, i szerokość impulsu<200ns
VGSon	Zalecane napięcie włączenia	18±0.5	V
VGSoff	Zalecane napięcie wyłączenia	-3.5 do -2	V
Id	Prąd drajnu (ciągły)	19	A	VGS =18V, TC =25°C	Rys. 23
		14	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Prąd drajnu (pulsowany)	47	A	Szerokość impulsu ograniczona przez SOA	Rys. 26
Ptot	Całkowita dyssypacja mocy	136	W	TC =25°C	Rys. 24
Tstg	Zakres temperatury przechowywania	-55 do 175	°C
Tj	Temperatura przewodu operacyjna	-55 do 175	°C
TL	Temperatura lutowania	260	°C	lutowanie falowe dozwolone tylko na końcówkach, 1,6 mm od obudowy przez 10 s

Dane termiczne

Symbol	Parametr	Wartość	Jednostka	Uwaga
Rθ(J-C)	Opór Termiczny od Junctury do Obudowy	1.1	°C/W	Rys. 25

Charakterystyki elektryczne (TC =25。C chyba że zgodnie z innymi specyfikacjami)

Symbol	Parametr	Wartość			Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
		Min.	Typ.	Max.
IDSS	Prąd drainowy przy zerowym napięciu bramki		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Prąd ucieczkowy bramki			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Próg napięcia bramki	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Rys. 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
Ron	Statyczny opór drań-podścieżka		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	Rys. 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175。C
Ciss	Pojemność wejściowa		575		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Rys. 16
Coss	Pojemność wyjściowa		34		pF
Crss	Pojemność przewodzenia odwrotnego		2.3		pF
Eoss	Energia przechowywana w Coss		14		μJ		Rys. 17
Qg	Całkowity ładunek bramki		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 do 18V	Rys. 18
Qgs	Ładunek bramka-źródło		6.6		nC
Qgd	Naładowanie bramki-drainu		14.4		nC
Rg	Opór wejściowy bramki		10		ω	f=1MHz
EON	Energia przemiennika przy włączaniu		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Rys. 19, 20
EOFF	Energia przemiennika wyłączania		22		μJ
td(wł)	Czas opóźnienia włączenia		2.5		nS
tR	Czas narastania		9.5
td(wył)	Czas opóźnienia wyłączenia		7.3
tF	Czas spadku		11.0
EON	Energia przemiennika przy włączaniu		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Rys. 22
EOFF	Energia przemiennika wyłączania		19		μJ

Właściwości diody odwrotnej (TC =25。C chyba że zgodnie z innymi specyfikacjami)

Symbol	Parametr	Wartość			Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
Symbol	Parametr	Min.	Typ.	Max.	Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
VSD	Napięcie przód-diody		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Rys. 10, 11, 12
VSD	Napięcie przód-diody		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Rys. 10, 11, 12
trr	Czas odzysku wstecznego		26		nS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Opłata za odzyskiwanie wsteczne		92		nC
IRRM	Maksymalny prąd odzyskiwania wstecznego		10.6		A