1200V 30mΩ Gen2 Automotywowy SiC MOSFET

Charakterystyka

Zastosowania

Zarys:

Schemat oznaczeń:

Bezwzględne Wartości Maksymalne (TC=25°C chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol	Parametry	Wartość	Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
VDS	Napięcie między drainersem a źródłem	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksymalne napięcie DC	-5 to 20	V	Statyczne (DC)
VGSmax (Szczyt)	Maksymalne napięcie szczytowe	-10 do 23	V	Czas pracy<1%, i szerokość impulsu<200ns
VGSon	Zalecane napięcie włączenia	18±0.5	V
VGSoff	Zalecane napięcie wyłączenia	-3.5 do -2	V
Id	Prąd drajnu (ciągły)	79	A.	VGS =18V, TC =25°C	Rys. 23
		58	A.	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Prąd drajnu (pulsowany)	198	A.	Szerokość impulsu ograniczona przez SOA	Rys. 26
Ptot	Całkowita dyssypacja mocy	395	W	TC =25°C	Rys. 24
Tstg	Zakres temperatury przechowywania	-55 do 175	°C
Tj	Temperatura przewodu operacyjna	-55 do 175	°C
TL	Temperatura lutowania	260	°C	lutowanie falowe dozwolone tylko na końcówkach, 1,6 mm od obudowy przez 10 s

Dane termiczne

Symbol	Parametry	Wartość	Jednostka	Uwaga
Rθ(J-C)	Opór Termiczny od Junctury do Obudowy	0.38	°C/W	Rys. 23

Charakterystyki elektryczne (TC =25。C chyba że zgodnie z innymi specyfikacjami)

Symbol	Parametry	Wartość			Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
Symbol	Parametry	Min.	Typ.	Max.	Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
IDSS	Prąd drainowy przy zerowym napięciu bramki		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Prąd ucieczkowy bramki			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Próg napięcia bramki	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Rys. 8, 9
VTH	Próg napięcia bramki		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Rys. 8, 9
Ron	Statyczny opór drań-podścieżka		30	39	mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Rys. 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
			36	47	mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
			58		mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss	Pojemność wejściowa		3000		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Rys. 16
Coss	Pojemność wyjściowa		140		pF
Crss	Pojemność przewodzenia odwrotnego		7.7		pF
Eoss	Energia przechowywana w Coss		57		μJ		Rys. 17
Qg	Całkowity ładunek bramki		135		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 do 18V	Rys. 18
Qgs	Ładunek bramka-źródło		36.8		nC
Qgd	Naładowanie bramki-drainu		45.3		nC
Rg	Opór wejściowy bramki		2.3		ω	f=1MHz
EON	Energia przemiennika przy włączaniu		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Rys. 19, 20
EOFF	Energia przemiennika wyłączania		118.0		μJ
td(wł)	Czas opóźnienia włączenia		15.4		nS
tR	Czas narastania		24.6
td(wył)	Czas opóźnienia wyłączenia		28.6
tF	Czas spadku		13.6

Właściwości diody odwrotnej (TC =25。C chyba że zgodnie z innymi specyfikacjami)

Symbol	Parametry	Wartość			Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
Symbol	Parametry	Min.	Typ.	Max.	Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
VSD	Napięcie przód-diody		4.2		V	ISD =30A, VGS =0V	Rys. 10, 11, 12
VSD	Napięcie przód-diody		4.0		V	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C	Rys. 10, 11, 12
trr	Czas odzysku wstecznego		54.8		nS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Opłata za odzyskiwanie wsteczne		470.7		nC
IRRM	Maksymalny prąd odzyskiwania wstecznego		20.3		A.