Dioda SBD z SiC

1200V 10A SiC Dioda Schottky Konwertery AC/DC

Wstęp

Miejsce pochodzenia:	Zhejiang
Nazwa marki:	Inventchip Technology
Numer modelu:	IV1D12010T2
Certyfikacja:

Minimalna ilość opakowania:	450szt
Cena:
Szczegóły opakowania:
Czas dostawy:
Warunki płatności:
Zdolność dostaw:

Charakterystyka

Maksymalna temperatura stawu 175°C
Wysokie możliwości prądu przepływowego
Zero prądu odzysku odwrotnego
Zero napięcia odzysku wprzód
Działanie wysokiej częstotliwości
zachowanie przełączające niezależne od temperatury
Pozytywny współczynnik temperaturowy na VF

Zastosowania

Wzmocnienie Energii Słonecznej
Diody wolnego kołowania invertera
PFC trójfazowy typu Vienna
Konwertery AC/DC
Zasilacze Przemienne

Zarys

Schemat Oznaczeń

Bezwzględne Wartości Maksymalne (Tc=25°C chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol	Parametry	Wartość	Jednostka
VRRM	Napięcie odwrotne (powtarzający się szczyt)	1200	V
VDC	Napięcie blokujące prądy stałego	1200	V
Jeśli	Prąd przód (ciągły) @Tc=25°C	30	A.
	Prąd przód (ciągły) @Tc=135°C	15.2	A.
	Prąd przód (ciągły) @Tc=155°C	10	A.
IFSM	Prąd przód impulsowy niepowtarzalny półfala sinusoidalnego @Tc=25°C tp=10ms	72	A.
IFRM	Prąd przód impulsowy powtarzalny (Częstotliwość=0,1Hz, 100 cykli) półfala sinusoidalnego @Tamb =25°C tp=10ms	56	A.
Ptot	Całkowita dysypacja mocy @ Tc=25°C	176	W
	Całkowita dysypacja mocy @ Tc=150°C	29
	Wartość I2t @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
Tstg	Zakres temperatury przechowywania	-55 do 175	°C
Tj	Zakres temperatury przewodu operacyjnego	-55 do 175	°C

Naprężenia przekraczające te wymienione w tabeli maksymalnych ocen mogą uszkodzić urządzenie. Jeśli którkotorąkolwiek z tych granic zostanie przekroczona, nie można zakładać prawidłowości działania urządzenia, może dojść do uszkodzenia i wpływu na niezawodność.

Charakterystyki elektryczne

Symbol	Parametry	Typ.	Max.	Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
VF	Napięcie progresywne	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Rys. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
Ir	Prąd odwrotny	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Rys. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Całkowita pojemność	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Rys. 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
Kontrola jakości	Całkowity ładunek pojemnościowy	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Rys. 4
Ecz	Energia przechowywana w pojemności	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Rys. 5