Dioda SBD z SiC

1200V 40A Automotywiczna Dioda Schottky SiC

Wprowadzenie

Miejsce pochodzenia:	Zhejiang
Nazwa marki:	Inventchip Technology
Numer modelu:	IV1D12040U3Z
Certyfikacja:	Zgodny z AEC-Q101

Minimalna ilość opakowania:	450szt
Cena:
Szczegóły opakowania:
Czas dostawy:
Warunki płatności:
Zdolność dostaw:

Cechy

Maksymalna temperatura stawu 175°C
Wysokie możliwości prądu przepływowego
Zero prądu odzysku odwrotnego
Zero napięcia przód-odzyskowego
Działanie wysokiej częstotliwości
Zachowanie podczas przełączania niezależne od temperatury
Pozytywny współczynnik temperaturowy na VF
Zgodny z AEC-Q101

Zastosowania

Diody wolnospadowe dla inwertera samochodowego
Ladownice dla pojazdów elektrycznych
PFC trójfazowy typu Vienna
Wzmocnienie Energii Słonecznej
Zasilacze Przemienne

Zarys

Schemat Oznaczeń

Bezwzględne Wartości Maksymalne (Tc=25°C chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol	Parametr	Wartość	Jednostka
VRRM	Napięcie odwrotne (powtarzający się szczyt)	1200	V
VDC	Napięcie blokujące prądy stałego	1200	V
Jeśli	Prąd przód (ciągły) @Tc=25°C	54*	A
	Prąd przód (ciągły) @Tc=135°C	28*	A
	Prąd przód (ciągły) @Tc=151°C	20*	A
IFSM	Prąd przód impulsowy niepowtarzalny półfala sinusoidalnego @Tc=25°C tp=10ms	140*	A
IFRM	Prąd przód impulsowy powtarzalny (Częstotliwość=0,1Hz, 100 cykli) półfala sinusoidalnego @Tamb =25°C tp=10ms	115*	A
Ptot	Całkowita dysypacja mocy @ Tc=25°C	272*	W
	Całkowita dysypacja mocy @ Tc=150°C	45*
	Wartość I2t @Tc=25°C tp=10ms	98*	A2s
Tstg	Zakres temperatury przechowywania	-55 do 175	°C
Tj	Zakres temperatury przewodu operacyjnego	-55 do 175	°C

*Na nogę

Obciążenia przekraczające te wymienione w tabeli maksymalnych parametrów mogą uszkodzić urządzenie. Jeśli któr którykolwiek z tych limitów zostanie przekroczony, nie można zakładać prawidłowości funkcjonowania urządzenia, może dojść do uszkodzenia i wpływu na niezawodność.

funkcjonalność nie powinna być zakładana, może dojść do uszkodzenia i wpływu na niezawodność.

Charakterystyki elektryczne

Symbol	Parametr	Typ.	Max.	Jednostka	Warunki testowe	Uwaga
VF	Napięcie progresywne	1.48*	1.8*	V	IF = 20 A TJ =25°C	Rys. 1
		2,1*	3,0*		IF = 20 A TJ =175°C
Ir	Prąd odwrotny	10*	200*	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Rys. 2
		45*	800*		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Całkowita pojemność	1114*		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Rys. 3
		100*			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77*			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
Kontrola jakości	Całkowity ładunek pojemnościowy	107*		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Rys. 4
Ecz	Energia przechowywana w pojemności	31*		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Rys. 5