1200V 160mΩ Gen2 Automotivo MOSFET de SiC

Recursos

Aplicações

Esquema:

Diagrama de Marcação:

Classificações Máximas Absolutas (Tc=25°C a menos que especificado o contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade	Condições de Teste	Nota
VDS	Voltagem Drain-Source	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (CC)	Tensão dc máxima	-5 a 20	V	Estático (CC)
VGSmax (Pico)	Tensão de pico máxima	-10 a 23	V	Ciclo de trabalho<1%, e largura do pulso<200ns
VGSon	Voltagem de ligação recomendada	18±0,5	V
VGSoff	Voltagem de desligamento recomendada	-3,5 a -2	V
Identificação	Corrente de drenagem (contínua)	19	A	VGS = 18V, TC = 25°C	Fig. 23
		14	A	VGS = 18V, TC = 100°C
IDM	Corrente de drenagem (em pulsos)	47	A	Largura de pulso limitada pelo SOA	Fig. 26
Ptot	Dissipação total de potência	136	W	TC = 25°C	Fig. 24
Tstg	Intervalo de temperatura de armazenamento	-55 a 175	°C
Tj	Temperatura de junção operacional	-55 a 175	°C
TL	Temperatura de solda	260	°C	soldagem por onda permitida apenas nos terminais, 1,6 mm do caso por 10 s

Dados Térmicos

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade	Nota
Rθ(J-C)	Resistência Térmica da Junção ao Caso	1.1	°C/W	Fig. 25

Características Elétricas (TC = 25°C a menos que especificado em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de Teste	Nota
		Mín.	Typ.	- Max, não.
IDSS	Corrente de drenagem com tensão zero no gate		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Corrente de fuga do gate			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tensão limiar da porta	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Fig. 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
Ron	Resistência estática de drenagem-fonte ligada		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175。C
Ciss	Capacitância de entrada		575		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacitância de saída		34		pF
Crss	Capacitância de transferência reversa		2.3		pF
Eoss	Energia armazenada em Coss		14		μJ		Fig. 17
Qg	Carga total do gate		29		nC	VDS = 800V, ID = 10A, VGS = -3 a 18V	Fig. 18
Qgs	Carga gate-source		6.6		nC
Qgd	Carga de grade-dreno		14.4		nC
Rg	Resistência de entrada de grade		10		ω	f=1MHz
EON	Energia de comutação de ligação		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3,5 a 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=300μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Energia de comutação na desligagem		22		μJ
td( lig )	Tempo de atraso na ligação		2.5		nS
tR	Tempo de subida		9.5
td( desl )	Tempo de atraso na desligagem		7.3
tF	Tempo de Queda		11.0
EON	Energia de comutação de ligação		194		μJ	VDS = 800V, ID = 10A, VGS = -3,5 a 18V, RG(ext) = 3,3Ω, L = 300μH TJ = 175°C	Fig. 22
EOFF	Energia de comutação na desligagem		19		μJ

Características do Diodo Reverso (TC = 25°C a menos que especificado em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de Teste	Nota
Símbolo	Parâmetro	Mín.	Typ.	- Max, não.	Unidade	Condições de Teste	Nota
VSD	Tensão direta do diodo		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Tensão direta do diodo		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Tempo de recuperação reversa		26		nS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Carga de recuperação reversa		92		nC
IRRM	Corrente de recuperação reversa pico		10.6		A