SiC SBD

1200V 10A Diodo Schottky de SiC Conversores AC/DC

Introdução

Local de Origem:	Zhejiang
Nome da Marca:	Inventchip Technology
Número do modelo:	IV1D12010T2
Certificação:

Quantidade mínima de embalagem:	450 unidades
Preço:
Detalhes de Embalagem:
Prazo de Entrega:
Condições de Pagamento:
Capacidade de Fornecimento:

Recursos

Temperatura Máxima da Junção 175°C
Alta Capacidade de Corrente de Surto
Corrente de Recuperação Inversa Zero
Tensão de Recuperação Direta Zero
Operação de alta frequência
comportamento de Comutação Independente de Temperatura
Coeficiente de Temperatura Positivo no VF

Aplicações

Aumento de Potência Solar
Diodos de Rodagem para Inversores
Vienna PFC Trifásico
Conversores AC/DC
Fontes de Alimentação em Modo de Comutação

Esboço

Diagrama de Marcação

Classificações Máximas Absolutas (Tc=25°C a menos que especificado o contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade
VRRM	Voltagem reversa (pico repetitivo)	1200	V
Vdc	Voltagem de bloqueio em CC	1200	V
Se	Corrente contínua (a Tc=25°C)	30	A
	Corrente contínua (contínua) @Tc=135°C	15.2	A
	Corrente contínua (contínua) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Corrente em pico não repetitiva em onda senoidal meia-onda @Tc=25°C tp=10ms	72	A
IFRM	Corrente em pico repetitiva (Freq=0,1Hz, 100 ciclos) em onda senoidal meia-onda @Tamb =25°C tp=10ms	56	A
Ptot	Dissipação total de potência @ Tc=25°C	176	W
	Dissipação total de potência @ Tc=150°C	29
	Valor I2t @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
Tstg	Intervalo de temperatura de armazenamento	-55 a 175	°C
Tj	Faixa de temperatura da junção operacional	-55 a 175	°C

Estresses que excedem os listados na tabela de Classificações Máximas podem danificar o dispositivo. Se qualquer um desses limites for excedido, não se deve assumir o funcionamento do dispositivo, podendo ocorrer danos e afetar a confiabilidade.

Características Elétricas

Símbolo	Parâmetro	Typ.	- Max, não.	Unidade	Condições de Teste	Nota
VF	Tensão direta	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Fig. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
Ir	Corrente Reversa	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Fig. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ = 175°C
C	Capacitância Total	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Fig. 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
Controle de qualidade	Carga Capacitiva Total	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Fig. 4
Ec	Energia Armazenada na Capacitância	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Fig. 5