1200V 40mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET

Características

Aplicações

Esquema:

Diagrama de Marcação:

Classificações Máximas Absolutas (Tc=25°C a menos que especificado o contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade	Condições de Teste	Nota
VDS	Voltagem Drain-Source	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Transiente)	Tensão transiente máxima	-10 a 23	V	Ciclo de trabalho<1%, e largura do pulso<200ns
VGSon	Voltagem de ligação recomendada	15 a 18	V
VGSoff	Voltagem de desligamento recomendada	-5 a -2	V	Típico -3,5V
Identificação	Corrente de drenagem (contínua)	65	A	VGS = 18V, TC = 25°C	Fig. 23
Identificação	Corrente de drenagem (contínua)	48	A	VGS = 18V, TC = 100°C	Fig. 23
IDM	Corrente de drenagem (em pulsos)	162	A	Largura de pulso limitada pelo SOA e Rθ(J-C) dinâmico	Fig. 25, 26
ISM	Corrente do diodo de corpo (em pulsos)	162	A	Largura de pulso limitada pelo SOA e Rθ(J-C) dinâmico	Fig. 25, 26
Ptot	Dissipação total de potência	375	W	TC = 25°C	Fig. 24
Tstg	Intervalo de temperatura de armazenamento	-55 a 175	°C
Tj	Temperatura de junção operacional	-55 a 175	°C
TL	Temperatura de solda	260	°C	soldagem por onda permitida apenas nos terminais, 1,6 mm do caso por 10 s

Dados Térmicos

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade	Nota
Rθ(J-C)	Resistência Térmica da Junção ao Caso	0.4	°C/W	Fig. 25

Características Elétricas (TC = 25。C a menos que especificado o contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de Teste	Nota
Símbolo	Parâmetro	Mín.	Typ.	- Max, não.	Unidade	Condições de Teste	Nota
IDSS	Corrente de drenagem com tensão zero no gate		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Corrente de fuga do gate			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tensão limiar da porta	1.8	2.8	4.5	V	VGS = VDS, ID = 9mA	Fig. 8, 9
VTH	Tensão limiar da porta		2.1			VGS = VDS, ID = 9mA @ TJ = 175。C	Fig. 8, 9
Ron	Resistência estática de drenagem-fonte ligada		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C
Ciss	Capacitância de entrada		2160		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacitância de saída		100		pF
Crss	Capacitância de transferência reversa		5.8		pF
Eoss	Energia armazenada em Coss		40		μJ		Fig. 17
Qg	Carga total do gate		110		nC	VDS = 800V, ID = 30A, VGS = -3 a 18V	Fig. 18
Qgs	Carga gate-source		25		nC
Qgd	Carga de grade-dreno		59		nC
Rg	Resistência de entrada de grade		2.1		ω	f=1MHz
EON	Energia de comutação de ligação		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 a 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Energia de comutação na desligagem		70.0		μJ
td( lig )	Tempo de atraso na ligação		9.6		nS
tR	Tempo de subida		22.1
td( desl )	Tempo de atraso na desligagem		19.3
tF	Tempo de Queda		10.5
EON	Energia de comutação de ligação		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 a 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Energia de comutação na desligagem		73.8		μJ		Fig. 22

Características de Diodo Reverso (TC = 25°C, salvo indicação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de Teste	Nota
Símbolo	Parâmetro	Mín.	Typ.	- Max, não.	Unidade	Condições de Teste	Nota
VSD	Tensão direta do diodo		4.2		V	ISD = 20A, VGS = 0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Tensão direta do diodo		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175°C	Fig. 10, 11, 12
É	Corrente contínua do diodo			63	A	VGS =-2V, TC =25。C
É	Corrente contínua do diodo			36	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Tempo de recuperação reversa		42.0		nS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Carga de recuperação reversa		198.1		nC
IRRM	Corrente de recuperação reversa pico		17.4		A