1200V 160mΩ Gen2 Automobilistic SiC MOSFET

Cantitatea minimă de comandă:	450 bucăți
Preț:
Detalii de ambalare:
Timp de livrare:
Termeni de plată:
Capacitate de furnizare:

Caracteristici

tehnologia de a doua generație a tranzistorilor SiC MOSFET cu conducere a porții la +18V
Tensiune ridicată de blocare cu rezistență mică la conductare
Comutare rapidă cu capacitance mică
Capacitate de funcționare la temperaturi ridicate ale uniunii
Dioda internă foarte rapidă și robustă
Intrarea pe porție Kelvin simplificând proiectarea circuitului de conducere

Aplicații

Schema:

Diagramă de marcare:

Evaluări Maxim Absolute (Tc=25°C decât altfel specificat)

Simbol	Parametru	Valoare	Unitate	Condiții de Testare	Notă
VDS	Tensiune Drain-Sursă	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Voltaj DC maxim	-5 la 20	V	Static (DC)
VGSmax (Spike)	Tensiune maximă de spike	-10 la 23	V	Ciclu de lucru<1%, și lățimea pulsului<200ns
VGSon	Tensiune recomandată pentru pornire	18±0.5	V
VGSoff	Tensiune recomandată pentru oprire	-3.5 la -2	V
Numărul	Curent de drain (continuu)	19	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		14	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Curent de drain (impulsuri)	47	A	Lățimea impulsului limitată de SOA	Fig. 26
Ptot	Dissipare totală de putere	136	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Interval de temperatură de depozitare	-55 la 175	°C
Tj	Temperatura de funcționare a junctiei	-55 la 175	°C
TL	Temperatura de solderare	260	°C	soldering cu undă permisă doar la terminale, la 1.6mm de corp pentru 10 s

Date termice

Simbol	Parametru	Valoare	Unitate	Notă
Rθ(J-C)	Rezistență Termică de la Junction până la Cutie	1.1	°C/W	Fig. 25

Caracteristici electrice (TC =25。C dacă nu este specificat altfel)

Simbol	Parametru	Valoare			Unitate	Condiții de Testare	Notă
		Min.	Typ.	Max.
IDSS	Curentul de colectare la tensiune zero la grilă		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Curent de scurgere al grilei			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tensiune de prag a porții	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Fig. 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175. C
Ron	Rezistență statică de pe drain-către-sursă când este pe		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25. C	Fig. 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175. C
Ciss	Capacitate de intrare		575		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacitate de ieșire		34		pF
Crss	Capacitate de transfer inversă		2.3		pF
Eoss	Energia stocată în Coss		14		μJ		Fig. 17
Qg	Sarcina totală a porților		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 la 18V	Fig. 18
Qgs	Sarcina gate-source		6.6		nC
Qgd	Sarcină gate-drain		14.4		nC
Rg	Rezistență de intrare a gate-ului		10		ω	f=1MHz
EON	Energie de comutare la pornire		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 până la 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Energie de comutare la oprire		22		μJ
td(on)	Timp de întârziere la pornire		2.5		nS
tR	Timp de creștere		9.5
td(off)	Timp de întârziere la oprire		7.3
tF	Timp de cădere		11.0
EON	Energie de comutare la pornire		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Energie de comutare la oprire		19		μJ

Caracteristici ale diodului invers (TC =25。C dacă nu este specificat altfel)

Simbol	Parametru	Valoare			Unitate	Condiții de Testare	Notă
Simbol	Parametru	Min.	Typ.	Max.	Unitate	Condiții de Testare	Notă
VSD	Tensiune direcțională a diodei		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Tensiune direcțională a diodei		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175°C	Fig. 10, 11, 12
trr	Timp de recuperare inversă		26		nS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Taxă de recuperare inversă		92		nC
IRRM	Curent maxim de recuperare inversă		10.6		A