1200V 30mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET

Caracteristici

Aplicații

Schema:

Diagramă de marcare:

Evaluări Maxim Absolute (TC=25°C dacă nu este altfel specificat)

Simbol	Parametru	Valoare	Unitate	Condiții de Testare	Notă
VDS	Tensiune Drain-Sursă	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Voltaj DC maxim	-5 la 20	V	Static (DC)
VGSmax (Spike)	Tensiune maximă de spike	-10 la 23	V	Ciclu de lucru<1%, și lățimea pulsului<200ns
VGSon	Tensiune recomandată pentru pornire	18±0.5	V
VGSoff	Tensiune recomandată pentru oprire	-3.5 la -2	V
Numărul	Curent de drain (continuu)	79	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		58	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Curent de drain (impulsuri)	198	A	Lățimea impulsului limitată de SOA	Fig. 26
Ptot	Dissipare totală de putere	395	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Interval de temperatură de depozitare	-55 la 175	°C
Tj	Temperatura de funcționare a junctiei	-55 la 175	°C
TL	Temperatura de solderare	260	°C	soldering cu undă permisă doar la terminale, la 1.6mm de corp pentru 10 s

Date termice

Simbol	Parametru	Valoare	Unitate	Notă
Rθ(J-C)	Rezistență Termică de la Junction până la Cutie	0.38	°C/W	Fig. 23

Caracteristici electrice (TC =25。C dacă nu este specificat altfel)

Simbol	Parametru	Valoare			Unitate	Condiții de Testare	Notă
Simbol	Parametru	Min.	Typ.	Max.	Unitate	Condiții de Testare	Notă
IDSS	Curentul de colectare la tensiune zero la grilă		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Curent de scurgere al grilei			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tensiune de prag a porții	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	Tensiune de prag a porții		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
Ron	Rezistență statică de pe drain-către-sursă când este pe		30	39	mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175°C
			36	47	mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25°C
			58		mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175°C
Ciss	Capacitate de intrare		3000		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacitate de ieșire		140		pF
Crss	Capacitate de transfer inversă		7.7		pF
Eoss	Energia stocată în Coss		57		μJ		Fig. 17
Qg	Sarcina totală a porților		135		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 la 18V	Fig. 18
Qgs	Sarcina gate-source		36.8		nC
Qgd	Sarcină gate-drain		45.3		nC
Rg	Rezistență de intrare a gate-ului		2.3		ω	f=1MHz
EON	Energie de comutare la pornire		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 până la 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Energie de comutare la oprire		118.0		μJ
td(on)	Timp de întârziere la pornire		15.4		nS
tR	Timp de creștere		24.6
td(off)	Timp de întârziere la oprire		28.6
tF	Timp de cădere		13.6

Caracteristici ale diodului invers (TC =25。C dacă nu este specificat altfel)

Simbol	Parametru	Valoare			Unitate	Condiții de Testare	Notă
Simbol	Parametru	Min.	Typ.	Max.	Unitate	Condiții de Testare	Notă
VSD	Tensiune direcțională a diodei		4.2		V	ISD =30A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Tensiune direcțională a diodei		4.0		V	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175°C	Fig. 10, 11, 12
trr	Timp de recuperare inversă		54.8		nS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Taxă de recuperare inversă		470.7		nC
IRRM	Curent maxim de recuperare inversă		20.3		A