1200V 25mohm MODUL SiC Motor drivers

Locul de origine:	Zhejiang
Nume de marcă:	Inventchip Technology
Numărul modelului:	IV1B12025HC1L
Certificare:	AEC-Q101

Caracteristici

• Tensiune ridicată de blocare cu rezistență mică la conductare

• Comutare rapidă cu capacitance mică

• Capacitate de funcționare la temperaturi ridicate ale uniunii

• Dioda internă foarte rapidă și robustă

Aplicații

• Aplicații solare

• Sistem ups

• Conducătoare de motoare

• Convertitori DC/DC la tense ridicate

Pachet

Evaluări Maxim Absolute (Tc=25°C decât altfel specificat)

Simbol	Parametru	Valoare	Unitate	Condiții de Testare	Notă
VDS	Tensiune Drain-Sursă	1200	V	VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC)	Voltaj DC maxim	-5 la 22	V	Static (DC)
VGSmax (Spike)	Tensiune maximă de spike	-10 la 25	V	<1% ciclu de lucru, și lățimea pulsului <200ns
VGSon	Tensiune de pornire recomandată	20±0.5	V
VGSoff	Tensiune de oprire recomandată	-3.5 la -2	V
Numărul	Curent de drain (continuu)	74	A	VGS =20V, TC =25°C
		50	A	VGS =20V, TC =94°C
IDM	Curent de drain (impulsuri)	185	A	Lățimea impulsului limitată de SOA	Fig.26
Ptot	Dissipare totală de putere	250	W	TC =25°C	Fig.24
Tstg	Interval de temperatură de depozitare	-40 la 150	°C
Tj	Temperatura maximă a junctiei virtuale în condiții de comutare	-40 la 150	°C	Operațiune
		-55 la 175	°C	Intermitent cu viață redusă

Date termice

Simbol	Parametru	Valoare	Unitate	Notă
Rθ(J-C)	Rezistență Termică de la Junction până la Cutie	0.5	°C/W	Fig.25

Caracteristici electrice (Tc=25°C decât altfel specificat)

Simbol	Parametru	Valoare			Unitate	Condiții de Testare	Notă
		Min.	Typ.	Max.
IDSS	Curentul de colectare la tensiune zero la grilă		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Curent de scurgere al grilei		2	±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tensiune de prag a porții		3.2		V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Ron	Rezistență statică de pe drain-către-sursă când este pe		25	33	mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C	Fig.4-7
			36		mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss	Capacitate de intrare		5.5		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Fig.16
Coss	Capacitate de ieșire		285		pF
Crss	Capacitate de transfer inversă		20		pF
Eoss	Energia stocată în Coss		105		μJ		Fig.17
Qg	Sarcina totală a porților		240		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 la 20V	Fig.18
Qgs	Sarcina gate-source		50		nC
Qgd	Sarcină gate-drain		96		nC
Rg	Rezistență de intrare a gate-ului		1.4		ω	f=100kHz
EON	Energie de comutare la pornire		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 la 20V, RG(ext)pe / RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Energie de comutare la oprire		135		μJ
td(on)	Timp de întârziere la pornire		15		nS
tR	Timp de creștere		4.1
td(off)	Timp de întârziere la oprire		24
tF	Timp de cădere		17
LsCE	Autoinducție străină		8.8		nu

Caracteristici ale diodului invers (Tc=25°C decât altfel specificat)

Simbol	Parametru	Valoare			Unitate	Condiții de Testare	Notă
		Min.	Typ.	Max.
VSD	Tensiune direcțională a diodei		4.9		V	ISD =40A, VGS =0V	Fig.10- 12
			4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Timp de recuperare inversă		18		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Taxă de recuperare inversă		1068		nC
IRRM	Curent maxim de recuperare inversă		96.3		A

Caracteristici termodrezor NTC

Simbol	Parametru	Valoare			Unitate	Condiții de Testare	Notă
		Min.	Typ.	Max.
RNTC	Rezistență nominală		5		kΩ	TNTC = 25℃	Fig. 27
δR\/R	Toleranța rezistenței la 25℃	-5		5	%
β25\/50	Valoare Beta		3380		K	±1%
Pmax	Consum de putere		5		mW

Performanță tipică (curbe)

         

Dimensiuni ambalaj (mm)

Notă

Pentru mai multe informații, vă rugăm să contactați Biroul de Vânzări al IVCT.

Drepturi de autor ©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Toate drepturile rezervate.

Informațiile din acest document sunt supuse modificări fără notificare prealabilă.

Legături asociate

http://www.inventchip.com.cn