Сик мосфета

1200В 30мΩ Gen2 Автомобильный SiC MOSFET

Введение

Место происхождения:	Чжэцзян
Название бренда:	Inventchip Technology
Номер модели:	IV2Q12030D7Z
Сертификация:	Соответствует AEC-Q101

Особенности

технология второго поколения SiC MOSFET с напряжением на воротах +18В
Высокое блокирующее напряжение при низком сопротивлении включения
Высокоскоростной переключающий с низкой ёмкостью
Высокая способность работы при высокой температуре соединения
Очень быстрый и надежный внутренний диод
Вход на ворота Kelvin, облегчающий проектирование цепи драйвера

Применения

Водители
Инверторы солнечных батарей
Автомобильные преобразователи DC/DC
Автомобильные компрессорные инверторы
Блоки питания импульсного режима

Описание:

Маркировочный диаграмма:

Абсолютные максимальные рейтинги (TC=25°C если не указано иное)

Символ	Параметры	Значение	Единица	Условия испытаний	Заметка
VDS	Напряжение между стоком и истоком	1200	В	VGS =0В, ID =100μA
VGSmax (DC)	Максимальное напряжение постоянного тока	-5 до 20	В	Статический (DC)
VGSmax (Импульс)	Максимальное напряжение импульса	-10 до 23	В	Цикл работы<1%, и ширина импульса<200нс
VGSon	Рекомендуемое напряжение включения	18±0.5	В
VGSoff	Рекомендуемое напряжение выключения	-3.5 до -2	В
Идентификатор	Ток стока (непрерывный)	79	A	VGS =18В, TC =25°C	Рис. 23
		58	A	VGS =18В, TC =100°C
IDM	Ток стока (импульсный)	198	A	Ширина импульса ограничена SOA	Рис. 26
Ptot	Общая рассеиваемость мощности	395	В	TC =25°C	Рис. 24
ТСТГ	Диапазон температур хранения	-55 до 175	°C
Tj	Температура соединения	-55 до 175	°C
ТЛ	Температура пайки	260	°C	пайка волновым методом разрешена только на выводах, на расстоянии 1.6 мм от корпуса в течение 10 с

Тепловые данные

Символ	Параметры	Значение	Единица	Заметка
Rθ(J-C)	Тепловое сопротивление от перехода к корпусу	0.38	°C/W	Рис. 23

Электрические характеристики (TC =25.С, если не указано иное)

Символ	Параметры	Значение			Единица	Условия испытаний	Заметка
Символ	Параметры	Мин.	Тип.	Макс.	Единица	Условия испытаний	Заметка
IDSS	Ток стока при нулевом напряжении затвора		5	100	μA	VDS =1200В, VGS =0В
IGSS	Ток утечки затвора			±100	нД	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Напряжение порога затвора	1.8	2.8	4.5	В	VGS=VDS , ID =12мА	Рис. 8, 9
VTH	Напряжение порога затвора		2.0			VGS=VDS , ID =12мА при TJ =175.С	Рис. 8, 9
Рон	Статическое сопротивление канала между стоком и истоком в режиме включения		30	39	мОм	VGS =18В, ID =30А при TJ =25°C	Рис. 4, 5, 6, 7
			55		мОм	VGS =18В, ID =30А при TJ =175°C
			36	47	мОм	VGS =15В, ID =30А при TJ =25°C
			58		мОм	VGS =15В, ID =30А при TJ =175°C
Цисс	Входной пропускной способностью		3000		pF	VDS=800В, VGS =0В, f=1МГц, VAC=25мВ	Рис. 16
Косс	Выходной объем		140		pF
Крсс	Капацитет обратной передачи		7.7		pF
Еосс	Энергия, запасаемая в Косс		57		мкДж		Рис. 17
Главный офис	Общий заряд затвора		135		nC	VDS =800В, ID =40А, VGS =-3 до 18В	Рис. 18
Qgs	Заряд между затвором и истоком		36.8		nC
Qgd	Заряд между затвором и стоком		45.3		nC
Rg	Входное сопротивление затвора		2.3		ω	f=1МГц
EON	Включение переменной энергии		856.6		мкДж	VDS =800В, ID =40А, VGS =-3.5 до 18В, RG(внеш) =3.3Ом, L=200мкГн TJ =25°C	Рис. 19, 20
EOFF	Выключение переменной энергии		118.0		мкДж
td(on)	Время задержки включения		15.4		nS
tr	Время нарастания		24.6
td(off)	Время задержки выключения		28.6
tF	Время спада		13.6

Характеристики обратного диода (TC =25.С, если не указано иное)

Символ	Параметры	Значение			Единица	Условия испытаний	Заметка
Символ	Параметры	Мин.	Тип.	Макс.	Единица	Условия испытаний	Заметка
VSD	Прямое напряжение диода		4.2		В	ISD =30A, VGS =0V	Рис. 10, 11, 12
VSD	Прямое напряжение диода		4.0		В	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C	Рис. 10, 11, 12
trr	Время восстановления		54.8		nS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Сбор за возврат средств		470.7		nC
IRRM	Пиковый обратный восстановительный ток		20.3		A