СИЧ СБД

1200В 10А SiC Шоттки Диоды Блоки питания AC/DC

Введение

Место происхождения:	Чжэцзян
Название бренда:	Inventchip Technology
Номер модели:	IV1D12010T2
Сертификация:

Минимальное количество упаковки:	450 штук
Цена:
Подробности упаковки:
Время доставки:
Условия оплаты:
Способность поставки:

Особенности

Максимальная температура соединения 175°C
Высокая способность к перегрузочному току
Нулевой обратный ток восстановления
Нулевое прямое восстановительное напряжение
Высокочастотная работа
температурно независимое коммутационное поведение
Положительный температурный коэффициент на VF

Применения

Повышение солнечной энергии
Диоды свободного хода инвертора
Vienna трехфазный ПЧ-корректор мощности
Преобразователи AC/DC
Блоки питания импульсного режима

Основные положения

Схема маркировки

Абсолютные максимальные рейтинги (TC=25°C если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение	Единица
VRRM	Обратное напряжение (повторяющийся пик)	1200	В
ВДС	Запрещающее напряжение постоянного тока	1200	В
IF	Прямой ток (непрерывный) при Tc=25°C	30	A
	Прямой ток (непрерывный) при Tc=135°C	15.2	A
	Прямой ток (непрерывный) при Tc=155°C	10	A
МФСМ	Пиковый неповторяющийся ток синусоидальной полуволны при Tc=25°C, tp=10мс	72	A
IFRM	Повторяющийся пиковый ток (Частота=0.1Гц, 100циклов) синусоидальной полуволны при Tamb =25°C, tp=10мс	56	A
Ptot	Общая диссипируемая мощность при Tc=25°C	176	В
	Общая диссипируемая мощность при Tc=150°C	29
	Значение I2t при Tc=25°C, tp=10мс	26	A2s
ТСТГ	Диапазон температур хранения	-55 до 175	°C
Tj	Диапазон рабочей температуры соединения	-55 до 175	°C

Напряжения, превышающие те, что указаны в таблице максимальных характеристик, могут повредить устройство. Если какое-либо из этих ограничений будет превышено, функциональность устройства не должна приниматься как должная, возможен выход из строя и влияние на надежность.

Электрические характеристики

Символ	Параметр	Тип.	Макс.	Единица	Условия испытаний	Заметка
VF	Напряжение вперед	1.48	1.7	В	IF = 10 А TJ =25°C	Рис. 1
		2.0	3.0		IF = 10 А TJ =175°C
Ир	Обратный ток	1	100	μA	VR = 1200 В TJ =25°C	Рис. 2
		10	250		VR = 1200 В TJ =175°C
C	Общая ёмкость	575		pF	VR = 1 В, TJ = 25°C, f = 1 МГц	Рис. 3
		59			VR = 400 В, TJ = 25˚C, f = 1 МГц
		42.5			VR = 800 В, TJ = 25˚C, f = 1 МГц
КК	Общий ёмкостный заряд	62		nC	VR = 800 В, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Рис. 4
Эк	Энергия запасённая в ёмкости	16.8		мкДж	VR = 800 В, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Рис. 5

Тепловые характеристики

Символ	Параметр	Тип.	Единица	Заметка
Rth(j-c)	Тепловое сопротивление от перехода к корпусу	0.85	°C/W	Фиг.7