СИЧ СБД

1200В 40А Автомобильный SiC Диод Шоттки

Введение

Место происхождения:	Чжэцзян
Название бренда:	Inventchip Technology
Номер модели:	IV1D12040U3Z
Сертификация:	Соответствует AEC-Q101

Минимальное количество упаковки:	450 штук
Цена:
Подробности упаковки:
Время доставки:
Условия оплаты:
Способность поставки:

Особенности

Максимальная температура соединения 175°C
Высокая способность к перегрузочному току
Нулевой обратный ток восстановления
Нулевое прямое напряжение восстановления
Высокочастотная работа
Температурно независимое коммутационное поведение
Положительный температурный коэффициент на VF
Соответствует AEC-Q101

Применения

Автомобильные инверторные диоды свободного колеса
Зарядные станции для электромобилей
Vienna трехфазный ПЧ-корректор мощности
Повышение солнечной энергии
Блоки питания импульсного режима

Основные положения

Схема маркировки

Абсолютные максимальные рейтинги (TC=25°C если не указано иное)

Символ	Параметры	Значение	Единица
VRRM	Обратное напряжение (повторяющийся пик)	1200	В
ВДС	Запрещающее напряжение постоянного тока	1200	В
IF	Прямой ток (непрерывный) при Tc=25°C	54*	A
	Прямой ток (непрерывный) при Tc=135°C	28*	A
	Прямой ток (непрерывный) при Tc=151°C	20*	A
МФСМ	Пиковый неповторяющийся ток синусоидальной полуволны при Tc=25°C, tp=10мс	140*	A
IFRM	Повторяющийся пиковый ток (Частота=0.1Гц, 100циклов) синусоидальной полуволны при Tamb =25°C, tp=10мс	115*	A
Ptot	Общая диссипируемая мощность при Tc=25°C	272*	В
	Общая диссипируемая мощность при Tc=150°C	45*
	Значение I2t при Tc=25°C, tp=10мс	98*	A2s
ТСТГ	Диапазон температур хранения	-55 до 175	°C
Tj	Диапазон рабочей температуры соединения	-55 до 175	°C

*На фазу

Напряжения, превышающие те, что указаны в таблице максимальных характеристик, могут повредить устройство. Если любые из этих пределов будут превышены, функционирование устройства не должно приниматься как должное, возможен ущерб и влияние на надежность.

функциональность не должна приниматься как должная, возможен ущерб и влияние на надежность.

Электрические характеристики

Символ	Параметры	Тип.	Макс.	Единица	Условия испытаний	Заметка
VF	Напряжение вперед	1.48*	1.8*	В	IF = 20 А TJ = 25°C	Рис. 1
		2.1*	3.0*		IF = 20 А TJ =175°C
Ир	Обратный ток	10*	200*	μA	VR = 1200 В TJ =25°C	Рис. 2
		45*	800*		VR = 1200 В TJ =175°C
C	Общая ёмкость	1114*		pF	VR = 1 В, TJ = 25°C, f = 1 МГц	Рис. 3
		100*			VR = 400 В, TJ = 25˚C, f = 1 МГц
		77*			VR = 800 В, TJ = 25˚C, f = 1 МГц
КК	Общий ёмкостный заряд	107*		nC	VR = 800 В, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Рис. 4
Эк	Энергия запасённая в ёмкости	31*		мкДж	VR = 800 В, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Рис. 5

*На фазу

Термические характеристики (на одну фазу)

Символ	Параметры	Тип.	Единица	Заметка
Rth(j-c)	Тепловое сопротивление от перехода к корпусу	0.55	°C/W	Фиг.7