Сик мосфета

1200В 40мΩ Gen2 Автомобильный SiC MOSFET

Введение

Место происхождения:	Шанхай
Название бренда:	Inventchip Technology
Номер модели:	IV2Q12040T4Z
Сертификация:	AEC-Q101

Особенности

2^иПоколение технологии SiC MOSFET с
+15~+18V напряжением управления затвором
Высокое блокирующее напряжение при низком сопротивлении включения
Высокоскоростной переключающий с низкой ёмкостью
возможностью работы при температуре соединения до 175°C
Ультрабыстрый и надежный встроенный диод
Вход на ворота Kelvin, облегчающий проектирование цепи драйвера
Соответствует AEC-Q101

Применения

Зарядные устройства для электромобилей и бортовые зарядные устройства (OBC)
Бустеры для солнечных панелей
Автомобильные компрессорные инверторы
Блоки питания AC/DC

Описание:

Маркировочный диаграмма:

Абсолютные максимальные рейтинги (TC=25°C если не указано иное)

Символ	Параметры	Значение	Единица	Условия испытаний	Заметка
VDS	Напряжение между стоком и истоком	1200	В	VGS =0В, ID =100μA
VGSmax (Транзитный)	Максимальное транзиентное напряжение	-10 до 23	В	Цикл работы<1%, и ширина импульса<200нс
VGSon	Рекомендуемое напряжение включения	15 до 18	В
VGSoff	Рекомендуемое напряжение выключения	-5 до -2	В	Типично -3.5В
Идентификатор	Ток стока (непрерывный)	65	A	VGS =18В, TC =25°C	Рис. 23
Идентификатор	Ток стока (непрерывный)	48	A	VGS =18В, TC =100°C	Рис. 23
IDM	Ток стока (импульсный)	162	A	Ширина импульса ограничена SOA и динамическим Rθ(J-C)	Рис. 25, 26
ISM	Ток диода корпуса (импульсный)	162	A	Ширина импульса ограничена SOA и динамическим Rθ(J-C)	Рис. 25, 26
Ptot	Общая рассеиваемость мощности	375	В	TC =25°C	Рис. 24
ТСТГ	Диапазон температур хранения	-55 до 175	°C
Tj	Температура соединения	-55 до 175	°C
ТЛ	Температура пайки	260	°C	пайка волновым методом разрешена только на выводах, на расстоянии 1.6 мм от корпуса в течение 10 с

Тепловые данные

Символ	Параметры	Значение	Единица	Заметка
Rθ(J-C)	Тепловое сопротивление от перехода к корпусу	0.4	°C/W	Рис. 25

Электрические характеристики (TC = 25°C если не указано иное)

Символ	Параметры	Значение			Единица	Условия испытаний	Заметка
Символ	Параметры	Мин.	Тип.	Макс.	Единица	Условия испытаний	Заметка
IDSS	Ток стока при нулевом напряжении затвора		5	100	μA	VDS =1200В, VGS =0В
IGSS	Ток утечки затвора			±100	нД	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Напряжение порога затвора	1.8	2.8	4.5	В	VGS =VDS, ID =9мА	Рис. 8, 9
VTH	Напряжение порога затвора		2.1			VGS =VDS, ID =9мА при TJ =175°С	Рис. 8, 9
Рон	Статическое сопротивление канала между стоком и истоком в режиме включения		40	52	мОм	VGS =18В, ID =20А при TJ =25°С	Рис. 4, 5, 6, 7
			75		мОм	VGS =18В, ID =20А при TJ =175.С
			50	65	мОм	VGS =15В, ID =20А при TJ =25.С
			80		мОм	VGS =15В, ID =20А при TJ =175.С
Цисс	Входной пропускной способностью		2160		pF	VDS=800В, VGS =0В, f=1МГц, VAC=25мВ	Рис. 16
Косс	Выходной объем		100		pF
Крсс	Капацитет обратной передачи		5.8		pF
Еосс	Энергия, запасаемая в Косс		40		мкДж		Рис. 17
Главный офис	Общий заряд затвора		110		nC	VDS =800В, ID =30А, VGS =-3 до 18В	Рис. 18
Qgs	Заряд между затвором и истоком		25		nC
Qgd	Заряд между затвором и стоком		59		nC
Rg	Входное сопротивление затвора		2.1		ω	f=1МГц
EON	Включение переменной энергии		446.3		мкДж	VDS =800В, ID =30А, VGS =-3.5 до 18В, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25.С	Рис. 19, 20
EOFF	Выключение переменной энергии		70.0		мкДж
td(on)	Время задержки включения		9.6		nS
tr	Время нарастания		22.1
td(off)	Время задержки выключения		19.3
tF	Время спада		10.5
EON	Включение переменной энергии		644.4		мкДж	VDS =800В, ID =30А, VGS =-3.5 до 18В, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175.С	Рис. 22
EOFF	Выключение переменной энергии		73.8		мкДж		Рис. 22

Характеристики обратного диода (TC =25.С если не указано иное)

Символ	Параметры	Значение			Единица	Условия испытаний	Заметка
Символ	Параметры	Мин.	Тип.	Макс.	Единица	Условия испытаний	Заметка
VSD	Прямое напряжение диода		4.2		В	ISD =20A, VGS =0V	Рис. 10, 11, 12
VSD	Прямое напряжение диода		4.0		В	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175°C	Рис. 10, 11, 12
IS	Прямой ток диода (непрерывный)			63	A	VGS =-2V, TC =25.С
IS	Прямой ток диода (непрерывный)			36	A	VGS =-2V, TC=100.С
trr	Время восстановления		42.0		nS	VGS=-3.5В/+18В, ISD =30А, VR =800В, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Сбор за возврат средств		198.1		nC
IRRM	Пиковый обратный восстановительный ток		17.4		A