SiC SBD

1200V 10A SiC Schottky Dióda Prekonvertory AC/DC

Úvod

Miesto pôvodu:	Zhejiang
Názov značky:	Inventchip Technology
Číslo modelu:	IV1D12010T2
Certifikácia:

Minimálna množstvo pre dodanie:	450 kusov
Cena:
Podrobnosti o balení:
Doba dodania:
Platobné podmienky:
Zásobovateľnosť:

Vlastnosti

Maximálna spojovacia teplota 175°C
Vysoká kapacita prechodového prúdu
Nulový opačný obnovovací prúd
Nulové vpred obnovovacie napätie
Vysokočastotná prevádzka
teplotne nezávislé prepinanie
Kladný teplotný koeficient pri VF

Aplikácie

Zvýšenie solárnej energie
Inverterové voľné kolieso diódy
Viedeňský 3-fázový PFC
Prevozy AC/DC
Zdroje napájania v režime prechodového stavu

Obrys

Označovací diagram

Absolútne maximálne hodnoty (TC=25°C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor	Parameter	Hodnota	Jednotka
VRRM	Obrátené napätie (opakovaný pík)	1200	V
VDC	Blokujúce napätie DC	1200	V
Ak	Predná súčasť (kontinuálna) @Tc=25°C	30	A
	Predná súčasť (kontinuálna) @Tc=135°C	15.2	A
	Predná súčasť (neustála) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Prúd vpredného preťaženia, nepovratný sinusový polovlny @Tc=25°C tp=10ms	72	A
IFRM	Prúd vpredného preťaženia, povratný (Frekvencia=0.1Hz, 100 cyklov) sinusový polovlny @Tamb =25°C tp=10ms	56	A
PTOT	Celkové spotrebované mocnosť @ Tc=25°C	176	W
	Celkové výkonové vypúšťanie pri Tc=150°C	29
	Hodnota I2t pri Tc=25°C, tp=10ms	26	A2s
Tstg	Rozsah teploty skladovania	-55 do 175	°C
TJ	Rozsah pracovnej spojovacej teploty	-55 do 175	°C

Strety prekračujúce tie, ktoré sú uvedené v tabuľke maximálnych hodnôt, môžu poškodiť zariadenie. Ak je prepasovaná akákoľvek z týchto hraníc, nemôže sa predpokladať funkčnosť zariadenia, môže dojsť ku škоде a môže byť ovplyvnená spolehlivosť.

Elektrické charakteristiky

Súbor	Parameter	Typ.	Max, čo sa deje?	Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
VF	Vpredné napätie	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Obr. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
IR	Spätný prúd	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Obr. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Celková kapacita	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Obr. 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Celkový kapacitívny náboj	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Obr. 4
Ec	Energia uložená v kondenzátore	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Obr. 5