Čo výskumníci pridávajú, je, že FET tranzistory sú tiež základnou stavebnou jednotkou mnohých elektronických zariadení, ktoré používame v našich každodenných životoch. Čo je FET: Plná forma FET je Field Effect Transistor. To im umožňuje riadiť prúd okolo obvodu, a funguje to tak, že sú ovládané elektrickým poľom. Dnes, v tomto úvodnom príručke o FET tranzistoroch sa budeme zaoberať rôznymi typmi FET tranzistorov a ich aplikáciami spolu s výhodami, ktoré ponúkajú, a tiež niekoľkými základnými vecami, ktoré by mal vedieť každý.
FET tranzistory sa nachádzajú v mnohých značkách, každá z ktorých prichádza s špeciálnymi použitiami a aplikáciami... Existujú 2 najrozšírenejšie FET tranzistory, ktoré sa nazývajú Depletion-Mode MOSFETs a Enhancement-Mode. Patrí medzi najrozšírejšie zariadenia v elektrotechnike kvôli svojej schopnosti prepinania (zapnutie a vypnutie) veľmi rýchlo, nevydávajú pri tom veľa energie, keď sú otvorené alebo zatvorené, a majú dlhú životnosť, pričom zachovávajú nízku teplotu počas prevádzky. To ich robí mimoriadne účinnými a majú mnoho aplikácií.
FET tranzistory sa používajú v mnohých aplikáciách. Ich funkčnosť môžete pozorovať v zdrojoch napätia, inverteroch, ovládačoch motorov, LED osvetlovaní a zvukových zosilňovačoch atď. FET tranzistory sa líšia od svojich protikusov spôsobom fungovania a jednou z hlavných výhod FET voči iným typom tranzistorov je jeho rýchlosť. Táto vlastnosť je extrémne užitočná pre elektronické systémy, kde je kritická regulácia napätia a prúdu. Stručne povedané, FET tranzistory sú zodpovedné za to, aby správne množstvo elektromagnetného prúdu teklo tam, kam je požadované, efektívnym spôsobom.
Špeciálny druh tranzistora FET (MOSFET), nazývaný Depletion-Mode, funguje inak. Tieto tranzistory alebo prepínače sú všeobecne vo 'zapnutom' stave - teda povoľujú prechádzať elektrinu. Avšak môžu byť vypnutí aplikáciou záporového napätia. Táto charakteristika umožňuje používanie Depletion-Mode MOSFETov v mnohých obvodoch vrátane zdrojov napäťa a regulátoroch napätia, kde tranzistor musí byť väčšinu času zapnutý.
Nižšia prechodová odporstvo je jednou z hlavných výhod, ktoré ponúkajú depletion-mode MOSFETy. To znamená, že stratia menej energii počas ich prevádzky, čo ich robí celkovne efektívnejšími. Okrem toho dokážu fungovať aj vysokotemperatúrovych podmienkach, čo ďalej robí z nich ideálnu voľbu pre rôzne situácie. Najväčšia nevýhoda (alebo možno nie...) je, že nie sú tak pružné ako enhancement-mode MOSFETy v určitých aplikáciách.
Tedy, na rozdiel od MOSFET-ov v režime vyčerpania, MOSFET-y v režime posilnenia fungujú opačným spôsobom. Typicky sú tieto tranzistory vo "VYP" pozícii tak, že nepripustia prechádzanie elektrickej energie, pokiaľ nie je aplikovaná kladná napätia na ich zapnutie. To robí MOSFET v režime posilnenia vhodnejším na použitie v aplikáciách, kde sa začiatočná stav "VYP" (vysoká impedance) až do momentu prepnutia na "ZAP" ako napríklad ovládače motorov alebo obvody pre prepinanie napätia.
Kde GaN FET-y dosahujú vynikajúce výsledky, a to oveľa viac; je schopnosť materiálu so širokým pásom priestoru riadiť napätie robustne. To ich činí efektívnymi na použitie v vysokonapätých rozbežkách podporujúcich ich využitie aj v náročných podmienkach. navyše môžu byť používané pri vysokých teplotách, čo ich kvalifikuje na použitie v tvrdých prostrediah, kde iné tranzistory zlyhajú. Bohužiaľ, GaN FET-y sú relatívne drahé na výrobu, čo môže obmedziť ich použitie v niektorých situáciách.
tím odborných analytikov môže zdielať najaktuálnejšie informácie a pomôcť pri typech FET tranzistorov v priemyselnom reťazci.
Kontrola kvality cez typy FET tranzistorov pomocou profesionálnych laboratórií a striktých akceptančných testov.
môžu pomôcť s návrhmi na prípad, že dostanete defektívne typy FET tranzistorov alebo máte akékoľvek problémy s produkty Allswell. Technická podpora Allswell je na dosah.
typy FET tranzistorov dostávajú najlepšie vysoko kvalitné produkty a služby za najprijateľnejšiu cenu.
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
