1200V 30mΩ Gen2 Automobilistik SiC MOSFET

Veprime të Rralla

Aplikimet

Skica:

Larg Schematic:

Vlerat Maksimale Absolute (TC=25°C në qof shkronjave të tjera e caktuar)

Ndryshe	Parametri	Vlera	Njësia	Kushtet e provës	Shënim
VDS	Tretë-Çelës voltage	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Gjashtësi Maksimale DC	-5 në 20	V	Statik (DC)
VGSmax (Spik)	Spike votimi maksimum	-10 deri në 23	V	Cikli i ndonjësi <1%, dhe gjerësia e impulsit <200ns
VGSon	Voli që rekomandohet për largimin	18±0.5	V
VGSoff	Voli që rekomandohet për fshirjen	-3.5 deri -2	V
Id	Rrjedha e drejtë (përparuese)	79	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		58	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Rrjedhës draini (pulsuar)	198	A	Gjerësia e pulsat të kufizuar nga SOA	Fig. 26
Ptot	Humbja totale e energjisë	395	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Varg temperatura e ruajtjes	-55 në 175	vj
Tj	Temperatura e lëndimit në veprim	-55 në 175	vj
TL	Temperatura e lëngut	260	vj	lëng tahi i lejuar vetëm në këndesh, 1.6mm nga rast për 10 s

Të dhënat termike

Ndryshe	Parametri	Vlera	Njësia	Shënim
Rθ(J-C)	Rezistencë Termike prej Larg dhe deri tek Rastri	0.38	°C/W	Fig. 23

Karakteristikat Elektrike (TC =25。C nisi të caktuar ndryshe)

Ndryshe	Parametri	Vlera			Njësia	Kushtet e provës	Shënim
Ndryshe	Parametri	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia	Kushtet e provës	Shënim
IDSS	Sasi e drejtuesit kur voltazhi i kapakut është zero		5	100	= 0V	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Rryma e derdhjes së portës			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	(TH)	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	(TH)		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
Ton	Himarë static ndaj burrave të burimeve		30	39	mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
			36	47	mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
			58		mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss	Ies		3000		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Kapaciteti i prodhimit		140		pF
Crss	Kapaciteti i transferit të kundërt		7.7		pF
Eoss	Energji e depozituar në Coss		57		μJ		Fig. 17
Qg	Larg total i qiellit		135		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 deri në 18V	Fig. 18
Qgs	Larg dhe mbulon gjysmë të burimit		36.8		nC
Qgd	Larg dhe mbulon gjysmë të drejtes		45.3		nC
Rg	Rezistencë hyrjeje e portit		2.3		oh	f=1MHz
EON	Energjia e Kalimit të Aktivizimit		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 deri në 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
Eof	Energjia e Kalimit të Çaktivizimit		118.0		μJ
td(on)	Koha e vonesës së ndezjes		15.4		ns
tr	Koha e ngritjes		24.6
td(off)	Koha e vonesës së fikjes		28.6
tf	Koha e rënies		13.6

Karakteristikat e Diodës Larg (TC =25。C nisi të caktuar ndryshe)

Ndryshe	Parametri	Vlera			Njësia	Kushtet e provës	Shënim
Ndryshe	Parametri	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia	Kushtet e provës	Shënim
VSD	1ms		4.2		V	ISD =30A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	1ms		4.0		V	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Koha e Rikuperimit të Prapambetjes		54.8		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Ngarkesa e Rikuperimit të Prapambetjes		470.7		nC
IRRM	Rrjeta e kthimit të pandryshme		20.3		A