IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODUL Solar

Vendndodhja e Origjina:	Zhejiang
Emri i markës:	Inventchip Technology
Numri i Modelit:	IV1B12013HA1L
Certifikimi:	AEC-Q101

Veprime të Rralla

• Votimi larg me rezistencë të ulët në gjendjen e ndalimit

• Shpejtësi e larg me kapacitancë të ulët

• Larg kapaciteti i temperaturës së lidhjes operativ

• Diod trupore bërtham dhe larg

Aplikimet

• Aplikime fotovoltike

• Sistem UPS

• Shoferët e motorëve

• Konvertere DC/DC me votaj të larg

Paketimi

Diagram i shenjimit

Vlerat Maksimale Absolute (TC=25°C në qof shqetër të tjera)

Ndryshe	Parametri	Vlera	Njësia	Kushtet e provës	Shënim
VDS	Tretë-Çelës voltage	1200	V
VGSmax (DC)	Gjashtësi Maksimale DC	-5 në 22	V	Statik (DC)
VGSmax (Spik)	Spike votimi maksimum	-10 në 25	V	<1% cikli i punës dhe gjerimi i pulsat <200ns
VGSon	Tretë e rekomanduar për larg	20±0.5	V
VGSoff	Tretë e rekomanduar për rregullimin	-3.5 deri -2	V
Id	Rrjedha e drejtë (përparuese)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Rrjedhës draini (pulsuar)	204	A	Gjerësia e pulsat të kufizuar nga SOA	Fig.26
Ptot	Humbja totale e energjisë	210	W	Tvj≤150℃	Fig.24
TSTG	Varg temperatura e ruajtjes	-40 në 150	vj
Tj	Temperatura maksimale e junctionit virtual në kushte të ndjeshme	-40 në 150	vj	Operacion
		-55 në 175	vj	Ndryshimor me jetë e larguar

Të dhënat termike

Ndryshe	Parametri	Vlera	Njësia	Shënim
Rθ(J-H)	Rezistencja termike prej Lidhjes deri në Kryesore	0.596	°C/W	Fig.25

Karakteristikat Elektrike (TC=25°C në qof shqetër të tjera)

Ndryshe	Parametri	Vlera			Njësia	Kushtet e provës	Shënim
		Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?
IDSS	Sasi e drejtuesit kur voltazhi i kapakut është zero		10	200	= 0V	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Rryma e derdhjes së portës			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	(TH)	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Ton	Rezistencë e rritur statike ndërmjet drejtues dhe burr		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Fig.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss	Ies		11		mHz	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Fig.16
Coss	Kapaciteti i prodhimit		507		pF
Crss	Kapaciteti i transferit të kundërt		31		pF
Eoss	Energji e depozituar në Coss		203		μJ		Fig.17
Qg	Larg total i qiellit		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 në 20V	Fig.18
Qgs	Larg dhe mbulon gjysmë të burimit		100		nC
Qgd	Larg dhe mbulon gjysmë të drejtes		192		nC
Rg	Rezistencë hyrjeje e portit		1.0		oh	f=100kHZ
EON	Energjia e Kalimit të Aktivizimit		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 deri në 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
Eof	Energjia e Kalimit të Çaktivizimit		182		μJ
td(on)	Koha e vonesës së ndezjes		30		ns
tr	Koha e ngritjes		5.9
td(off)	Koha e vonesës së fikjes		37
tf	Koha e rënies		21
LsCE	Induktiviteti i humbjes		7.6		nH

Karakteristikat e Diodës Larg (TC=25°C në qof shqetër të tjera)

Ndryshe	Parametri	Vlera			Njësia	Kushtet e provës	Shënim
		Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?
VSD	1ms		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Fig.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Koha e Rikuperimit të Prapambetjes		17.4		ns	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Ngarkesa e Rikuperimit të Prapambetjes		1095		nC
IRRM	Rrjeta e kthimit të pandryshme		114		A

Karakteristikat e Termistorit NTC

Ndryshe	Parametri	Vlera			Njësia	Kushtet e provës	Shënim
		Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?
RNTC	Rezistenca e Vlerësuar		5		kΩ	TNTC =25℃	Fig.27
δR/R	Toleranca e rezistencës në 25℃	-5		5	%
β25/50	Vlera e Beta		3380		K	± 1%
Pmax	Shpërndarja e energjisë		5		mW

Performanca Tipike (kurva)

         

Përmasat e Paketës (mm)