Сик мосфет

1200В 160мΩ Ген2 Мосфет за аутомобиле

Uvod

Место порекла:	Цхецзян
Име бренда:	Технологија инвентирања чипова
Број модела:	IV2Q12160T4Z
Сертификација:	АЕЦ-КВ101

Минимална количина наруџбе:	450ПЦС
Цена:
Детаљи о паковању:
Време испоруке:
Услови плаћања:
Способност снабдевања:

Karakteristike

технологија SiC MOSFET друге генерације са +18V порталним покретом
Високи блокирајући напон са малим отпорним напајањем
Високобрза превлачење са малим капацитанце
Способност за високу температуру рада у зглобовима
Веома брза и чврста унутрашња диода тела
Дизајн Келвинског улазног диривера за олакшавање улазничког улазничког кола

Primene

Конвертери за аутомобиле
Ugrađeni nabitelji
Соларни инвертори
Возачи мотора
Инвертори за компресоре за аутомобиле
Подаци енергије за превлачење

Облик:

Дијаграм ознаке:

Апсолутна максимална рејтингова (ТЦ=25°C, осим ако није другачије наведено)

Симбол	Параметри	Вредност	Jedinica	Услови испитивања	Примена
ВДС	Напетост извора одвођења	1200	V	ВГС = 0В, ИД = 100μА
ВГСмакс (ДЦ)	Максимално истоструко напонство	- од 5 до 20	V	Статички (DC)
ВГСмакс (Пик)	Максимално напречење на врху	- од 10 до 23	V	Површни циклус < 1% и ширина импулса < 200ns
ВГСон	Препоручује се напон за укључивање	18±0.5	V
ВГСофф	Препоручено избацивање напона	-3,5 до -2	V
ID	Проток одвођења (непрекидан)	19	A	ВГС = 18В, ТЦ = 25°С	Слика 23.
		14	A	ВГС = 18В, ТЦ = 100°С
ИДМ	Излазни ток (пулсиран)	47	A	Ширина импулса ограничена СОА	Слика 26
ПТОТ	Укупна распадња снаге	136	Š	ТЦ = 25°C	Слика 24
Тстг	Размај температуре складиштења	-55 до 175	°c
ТЈ	Тренутна температура зглобова	-55 до 175	°c
TL	Температура лемења	260	°c	вална лемљење дозвољено само на води, 1,6 мм од случаја за 10 с

Термички подаци

Симбол	Параметри	Вредност	Jedinica	Примена
Rθ ((J-C)	Термичка отпорност од спојника до корпуса	1.1	°С/В	Слика 25.

Електричке карактеристике (ТЦ = 25、С, осим ако није другачије наведено)

Симбол	Параметри	Вредност			Jedinica	Услови испитивања	Примена
		Мино.	Тип.	Макс. -Макс.
ИДСС	Нулна улазна напона одвођења струје		5	100	мА	Уколико је потребно, додајте:
ИГСС	Ток пропуста капи			±100	нА	Уколико је потребно, додајте:
ВТХ	Порожни напон ка капије	1.8	2.8	4.5	V	ВГС = ВДС, ИД = 2мА	Слика 8, 9
			2.1			ВГС = ВДС, ИД = 2мА @ ТДЖ = 175。С
Gvožđe	Статички извор одвода укључен - отпор		160	208	mΩ	Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.	Слика 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.
Цис	Улазни капацитанс		575		пФ	Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.	Слика 16
Кос	Излазни капацитанс		34		пФ
Црсс	Реверзни преносни капацитанс		2.3		пФ
Еос	Цос складиштена енергија		14		мДЖ		Слика 17
Главни центар	Укупна накнада за улазак		29		nC	Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.	Слика 18
Кгс	Наплата за извор капије		6.6		nC
Кгд	Задатак за отпадницу капије		14.4		nC
РГ	Отпор улазних капија		10		о	f=1МХЗ
ЕОН	Енергија за укључивање		115		мДЖ	ВДС = 800В, ИД = 10А, ВГС = -3,5 до 18В, РГ ((ext) = 3,3Ω, Л=300μХ ТД = 25。С	Слика 19, 20
ЕОФФ	Енергија за прекидање при искључивању		22		мДЖ
тд (о)	Време кашњења укључивања		2.5		n
tr	Време подизања		9.5
тд (остављено)	Време одлагања искључења		7.3
тф	Време пада		11.0
ЕОН	Енергија за укључивање		194		мДЖ	ВДС = 800В, ИД = 10А, ВГС = -3,5 до 18В, РГ ((ext) = 3,3Ω, Л=300μХ ТД = 175。С	Слика 22
ЕОФФ	Енергија за прекидање при искључивању		19		мДЖ

Карактеристике обрнуте диоде (ТЦ = 25、С, осим ако није другачије наведено)

Симбол	Параметри	Вредност			Jedinica	Услови испитивања	Примена
Симбол	Параметри	Мино.	Тип.	Макс. -Макс.	Jedinica	Услови испитивања	Примена
ВСД	Диодско напречење напред		4.0		V	ИСД = 5А, ВГС = 0В	Слика 10, 11, 12
ВСД	Диодско напречење напред		3.7		V	ИСД = 5А, ВГС = 0В, ТД = 175。С	Слика 10, 11, 12
тр	Времена повратка опоравка		26		n	ВГС = -3,5В/+18В, ИСД =10А, ВР =800В, РГ ((екст) =15Ω Л=300μХ ди/дт=3000А/μс
КВРР	Наплата за обнављање		92		nC
ИРРМ	Пик реверзне рекуперације струје		10.6		A