Sve kategorije
Zakažite sastanak
SiC MOSFET

Početna strana /  Proizvodi /  Komponente /  SiC MOSFET

SiC MOSFET

1200V 160mΩ Gen2 Аутомобилски SiC MOSFET

Uvod

Mesto porekla: Zhejiang
Naziv brenda: Inventchip Technology
Broj modela: IV2Q12160T4Z
Certifikacija: AEC-Q101


Najmanja količina narudžbine: 450 komada
Cena:
Detalji pakovanja:
Vreme isporuke:
Uslovi plaćanja:
Možnost ponude:


Karakteristike

  • 2. generacija tehnologije SiC MOSFET sa +18V pogonskom naponom

  • Visoka blokirajuća napetost sa niskim upalnom otporom

  • Brzo prebacivanje sa niskom kapacitetom

  • Visoka sposobnost rada pri visokoj spojnoj temperaturi

  • Veoma brz i robustni intrinzični diodni element

  • Kelvinov ulaz za pojasnjenje dizajna pogonske šeme


Primene

  • Automobilski DC/DC konverteri

  • Ugrađeni nabitelji

  • Соларни инвертори

  • Возачи мотора

  • Automobilski kompresorski inverteri

  • Napajanja u prekidnom režimu rada


Pregled:

image


Oznaka dijagrama:

image

Apsolutne Maksimalne Ocene (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол Parametar Vrednost Jedinica Testni uslovi Napomena
VDS Napon između odvodnika i izvora 1200 V VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC) Maksimalna DC napetost -5 do 20 V Statički (DC)
VGSmax (Spik) Maksimalni pikovni napon -10 do 23 V Dutycycle<1%, i širina impulsa<200ns
VGSon Препоручена напон за укључивање 18±0.5 V
VGSoff Препоручена напон за исključivanje -3.5 do -2 V
ИД Струја на дрени (непрекидна) 19 А VGS =18V, TC =25°C Slika 23
14 А VGS =18V, TC =100°C
IDM Struja na drenu (pulsirajući) 47 А Dužina pulsa ograničena SOA Slika 26
Пtot Ukupna disipacija snage 136 W TC =25°C Slika 24
ТСТГ Raspon Temperatura Skladištenja -55 do 175 °C
Tj Temperatura spojnog čvora -55 do 175 °C
ТЛ Temperatura lepljenja 260 °C talasno lepljenje dozvoljeno samo na kontaktna očilja, 1.6mm od omotača tokom 10 sekundi


Термични подаци

Симбол Parametar Vrednost Jedinica Napomena
Rθ(J-C) Termalna otpornost od spoja do omotača 1.1 °С/В Slika. 25


Električne karakteristike (TC =25。C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол Parametar Vrednost Jedinica Testni uslovi Napomena
Минут. Tip. Макс. -Макс.
IDSS Struja drena pri nuli na vratu 5 100 = 0V VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Struja curenja vrata ±100 VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH (TH) 1.8 2.8 4.5 V VGS =VDS , ID =2mA Fig. 8, 9
2.1 VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
RON Statički upornik između drena i izvora u režimu uključenja 160 208 VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C Fig. 4, 5, 6, 7
285 VGS =18V, ID =5A @TJ =175。C
Ciss 125 °C 575 pF VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV Slika 16
Coss Излазна капацитета 34 pF
Crss Kapacitivnost povratnog prenosa 2.3 pF
Eoss Energija pohranjena u Coss 14 μJ Slika 17
Qg Ukupna napetost na štiti 29 nC VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 do 18V Slika 18
Qgs Napetost između štita i izvora 6.6 nC
Qgd Napetost između štita i drejna 14.4 nC
Rg Ulazni otpor štita 10 о f=1MHz
EON Укључивање прелазне енергије 115 μJ VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C Fig. 19, 20
EOFF Избацивање 22 μJ
td(on) Vreme kašnjenja uključivanja 2.5 ns
tr Vreme rasta 9.5
td(off) Vreme kašnjenja isključivanja 7.3
тф Vreme opadanja 11.0
EON Укључивање прелазне енергије 194 μJ VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C Fig. 22
EOFF Избацивање 19 μJ


Karakteristike obrnutog dioda (TC =25。C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол Parametar Vrednost Jedinica Testni uslovi Napomena
Минут. Tip. Макс. -Макс.
VSD 1ms 4.0 V ISD =5A, VGS =0V Fig. 10, 11, 12
3.7 V ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C
тр Времена повратка опоравка 26 ns VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr Наплата за обнову 92 nC
ИРРМ Pikovni obrnuti strujni tok 10.6 А


Tipičan izveden (krivulje)

image

image

image

image

image

image

image

image

image


POVEZANI PROIZVOD