1200V 160mΩ Gen2 Аутомобилски SiC MOSFET

Особности

Примене

Pregled:

Oznaka dijagrama:

Apsolutne Maksimalne Ocene (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Параметри	Вредност	Јединица	Услови испитивања	Примена
VDS	Napon između odvodnika i izvora	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Максимално истоструко напонство	-5 do 20	V	Statički (DC)
VGSmax (Spik)	Maksimalni pikovni napon	-10 do 23	V	Dutycycle<1%, i širina impulsa<200ns
VGSon	Препоручена напон за укључивање	18±0.5	V
VGSoff	Препоручена напон за исključivanje	-3.5 do -2	V
ИД	Струја на дрени (непрекидна)	19	А	VGS =18V, TC =25°C	Slika 23
		14	А	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Struja na drenu (pulsirajući)	47	А	Dužina pulsa ograničena SOA	Slika 26
Пtot	Ukupna disipacija snage	136	В	TC =25°C	Slika 24
ТСТГ	Размај температуре складиштења	-55 do 175	°c
Tj	Temperatura spojnog čvora	-55 do 175	°c
ЛИ	Temperatura lepljenja	260	°c	talasno lepljenje dozvoljeno samo na kontaktna očilja, 1.6mm od omotača tokom 10 sekundi

Термични подаци

Симбол	Параметри	Вредност	Јединица	Примена
Rθ(J-C)	Termalna otpornost od spoja do omotača	1.1	°С/В	Slika. 25

Електричке карактеристике (TC =25。C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Параметри	Вредност			Јединица	Услови испитивања	Примена
		Мино.	Tip.	Макс. -Макс.
IDSS	Struja drena pri nuli na vratu		5	100	мА	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Struja curenja vrata			±100	нА	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	(TH)	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Fig. 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
Рун	Statički upornik između drena i izvora u režimu uključenja		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175。C
Ciss	125 °C		575		пФ	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Slika 16
Coss	Излазна капацитета		34		пФ
Crss	Kapacitivnost povratnog prenosa		2.3		пФ
Eoss	Energija pohranjena u Coss		14		μJ		Slika 17
Главни центар	Ukupna napetost na štiti		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 do 18V	Slika 18
Qgs	Napetost između štita i izvora		6.6		nC
Qgd	Napetost između štita i drejna		14.4		nC
РГ	Ulazni otpor štita		10		о	f=1MHz
EON	Укључивање прелазне енергије		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Избацивање		22		μJ
td(on)	Vreme kašnjenja uključivanja		2.5		n
tr	Vreme rasta		9.5
td(off)	Vreme kašnjenja isključivanja		7.3
тф	Vreme opadanja		11.0
EON	Укључивање прелазне енергије		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Избацивање		19		μJ

Karakteristike obrnutog dioda (TC =25。C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Параметри	Вредност			Јединица	Услови испитивања	Примена
Симбол	Параметри	Мино.	Tip.	Макс. -Макс.	Јединица	Услови испитивања	Примена
VSD	1ms		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	1ms		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
тр	Времена повратка опоравка		26		n	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
КВРР	Наплата за обнову		92		nC
ИРРМ	Pikovni obrnuti strujni tok		10.6		А