Све категорије
УТРЕБНО
SiC MOSFET

Почетна страница /  Производи /  Komponente /  SiC MOSFET

SiC MOSFET

1200V 30mΩ Gen2 Automobilski SiC MOSFET

Увод
Место порекла: Цхецзян
Име бренда: Inventchip Technology
Број модела: IV2Q12030D7Z
Сертификација: AEC-Q101 kvalifikovan


Особности

  • 2. generacija SiC MOSFET tehnologije sa +18V gate drive-om

  • Visoka blokirajuća napetost sa niskim upalnom otporom

  • Brzo prebacivanje sa niskom kapacitetom

  • Visoka sposobnost rada pri visokoj spojnoj temperaturi

  • Veoma brz i robustni intrinzični diodni element

  • Kelvinov ulaz za pojasnjenje dizajna pogonske šeme

Примене

  • Возачи мотора

  • Соларни инвертори

  • Automobilski DC/DC konverteri

  • Automobilski kompresorski inverteri

  • Napajanja u prekidnom režimu rada


Pregled:

image

Oznaka dijagrama:

image

Apsolutne Maksimalne Ocene (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол Параметри Вредност Јединица Услови испитивања Примена
VDS Napon između odvodnika i izvora 1200 V VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC) Максимално истоструко напонство -5 do 20 V Statički (DC)
VGSmax (Spik) Maksimalni pikovni napon -10 do 23 V Dutycycle<1%, i širina impulsa<200ns
VGSon Препоручена напон за укључивање 18±0.5 V
VGSoff Препоручена напон за исključivanje -3.5 do -2 V
ИД Струја на дрени (непрекидна) 79 А VGS =18V, TC =25°C Slika 23
58 А VGS =18V, TC =100°C
IDM Struja na drenu (pulsirajući) 198 А Dužina pulsa ograničena SOA Slika 26
Пtot Ukupna disipacija snage 395 В TC =25°C Slika 24
ТСТГ Размај температуре складиштења -55 do 175 °c
Tj Temperatura spojnog čvora -55 do 175 °c
ЛИ Temperatura lepljenja 260 °c talasno lepljenje dozvoljeno samo na kontaktna očilja, 1.6mm od omotača tokom 10 sekundi


Термични подаци

Симбол Параметри Вредност Јединица Примена
Rθ(J-C) Termalna otpornost od spoja do omotača 0.38 °С/В Slika 23


Електричке карактеристике (TC =25。C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол Параметри Вредност Јединица Услови испитивања Примена
Мино. Tip. Макс. -Макс.
IDSS Struja drena pri nuli na vratu 5 100 мА VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Struja curenja vrata ±100 нА VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH (TH) 1.8 2.8 4.5 V VGS=VDS , ID =12mA Fig. 8, 9
2.0 VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C
Рун Statički upornik između drena i izvora u režimu uključenja 30 39 VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C Fig. 4, 5, 6, 7
55 VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
36 47 VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
58 VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss 125 °C 3000 пФ VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV Slika 16
Coss Излазна капацитета 140 пФ
Crss Kapacitivnost povratnog prenosa 7.7 пФ
Eoss Energija pohranjena u Coss 57 μJ Slika 17
Главни центар Ukupna napetost na štiti 135 nC VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 do 18V Slika 18
Qgs Napetost između štita i izvora 36.8 nC
Qgd Napetost između štita i drejna 45.3 nC
РГ Ulazni otpor štita 2.3 о f=1MHz
EON Укључивање прелазне енергије 856.6 μJ VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C Fig. 19, 20
EOFF Избацивање 118.0 μJ
td(on) Vreme kašnjenja uključivanja 15.4 n
tr Vreme rasta 24.6
td(off) Vreme kašnjenja isključivanja 28.6
тф Vreme opadanja 13.6


Karakteristike obrnutog dioda (TC =25。C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол Параметри Вредност Јединица Услови испитивања Примена
Мино. Tip. Макс. -Макс.
VSD 1ms 4.2 V ISD =30A, VGS =0V Fig. 10, 11, 12
4.0 V ISD =30A, VGS =0V, TJ =175°C
тр Времена повратка опоравка 54.8 n VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
КВРР Наплата за обнову 470.7 nC
ИРРМ Pikovni obrnuti strujni tok 20.3 А


Tipičan izveden (krivulje)

image

image

image

image

image

image

image

image

image


СРЕДНИ ПРОДУКТ