Сик мосфет

650В 25мΩ ГЕН2 Мосфет за аутомобиле

Uvod

Место порекла:	Цхецзян
Име бренда:	Технологија инвентирања чипова
Број модела:	IV2Q06025T4Z
Сертификација:	АЕЦ-КВ101

Karakteristike

технологија SiC MOSFET-а друге генерације са
+18V покретач капије
Високи блокирајући напон са малим отпорним напајањем
Високобрза превлачење са малим капацитанце
Способност за високу температуру рада у зглобовима
Веома брза и чврста унутрашња диода тела
Дизајн Келвинског улазног диривера за олакшавање улазничког улазничког кола

Primene

Возачи мотора
Соларни инвертори
Конвертери за аутомобиле
Инвертори за компресоре за аутомобиле
Подаци енергије за превлачење

Облик:

Дијаграм ознаке:

Апсолутна максимална рејтингова (ТЦ=25°C, осим ако није другачије наведено)

Симбол	Параметри	Вредност	Jedinica	Услови испитивања	Примена
ВДС	Напетост извора одвођења	650	V	ВГС = 0В, ИД = 100μА
ВГСмакс (ДЦ)	Максимално истоструко напонство	- од 5 до 20	V	Статички (DC)
ВГСмакс (Пик)	Максимално напречење на врху	- од 10 до 23	V	Површни циклус < 1% и ширина импулса < 200ns
ВГСон	Препоручује се напон за укључивање	18±0.5	V
ВГСофф	Препоручено избацивање напона	-3,5 до -2	V
ID	Проток одвођења (непрекидан)	99	A	ВГС = 18В, ТЦ = 25°С	Слика 23.
		72	A	ВГС = 18В, ТЦ = 100°С
ИДМ	Излазни ток (пулсиран)	247	A	Ширина импулса ограничена СОА	Слика 26
ПТОТ	Укупна распадња снаге	454	Š	ТЦ = 25°C	Слика 24
Тстг	Размај температуре складиштења	-55 до 175	°c
ТЈ	Тренутна температура зглобова	-55 до 175	°c
TL	Температура лемења	260	°c	вална лемљење дозвољено само на води, 1,6 мм од случаја за 10 с

Термички подаци

Симбол	Параметри	Вредност	Jedinica	Примена
Rθ ((J-C)	Термичка отпорност од спојника до корпуса	0.33	°С/В	Слика 25.

Електричке карактеристике (ТЦ = 25、С, осим ако није другачије наведено)

Симбол	Параметри	Вредност			Jedinica	Услови испитивања	Примена
Симбол	Параметри	Мино.	Тип.	Макс. -Макс.	Jedinica	Услови испитивања	Примена
ИДСС	Нулна улазна напона одвођења струје		3	100	мА	Уколико је потребно, додајте:
ИГСС	Ток пропуста капи			±100	нА	Уколико је потребно, додајте:
ВТХ	Порожни напон ка капије	1.8	2.8	4.5	V	ВГС=ВДС, ИД =12мА	Слика 8, 9
ВТХ	Порожни напон ка капије		2.0			ВГС=ВДС, ИД =12мА @ ТДЖ =175。С	Слика 8, 9
Gvožđe	Статички извор одвода на отпор		25	33	mΩ	Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.	Слика 4, 5, 6, 7
Gvožđe	Статички извор одвода на отпор		38		mΩ	Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.	Слика 4, 5, 6, 7
Цис	Улазни капацитанс		3090		пФ	Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.	Слика 16
Кос	Излазни капацитанс		251		пФ
Црсс	Реверзни преносни капацитанс		19		пФ
Еос	Цос складиштена енергија		52		мДЖ		Слика 17
Главни центар	Укупна накнада за улазак		125		nC	Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.	Слика 18
Кгс	Наплата за извор капије		35.7		nC
Кгд	Задатак за отпадницу капије		38.5		nC
РГ	Отпор улазних капија		1.5		о	f=1МХЗ
ЕОН	Енергија за укључивање		218.8		мДЖ	ВДС = 400В, ИД = 40А, ВГС = -3,5 до 18В, РГ ((ext) = 3,3Ω, Л=200μХ ТД = 25。С	Слика 19, 20
ЕОФФ	Енергија за прекидање при искључивању		95.0		мДЖ
тд (о)	Време кашњења укључивања		12.9		n
tr	Време подизања		26.5
тд (остављено)	Време одлагања искључења		23.2
тф	Време пада		11.7
ЕОН	Енергија за укључивање		248.5		мДЖ	ВДС = 400В, ИД = 40А, ВГС = -3,5 до 18В, РГ ((ext) = 3,3Ω, Л=200μХ ТД = 175。С	Слика 22
ЕОФФ	Енергија за прекидање при искључивању		99.7		мДЖ		Слика 22

Карактеристике обрнуте диоде (ТЦ = 25、С, осим ако није другачије наведено)

Симбол	Параметри	Вредност			Jedinica	Услови испитивања	Примена
Симбол	Параметри	Мино.	Тип.	Макс. -Макс.	Jedinica	Услови испитивања	Примена
ВСД	Диодско напречење напред		3.7		V	ISD = 20A, VGS = 0V	Слика 10, 11, 12
ВСД	Диодско напречење напред		3.5		V	ISD = 20A, VGS = 0V, TJ = 175 ◦C	Слика 10, 11, 12
тр	Времена повратка опоравка		32		n	VGS = -3,5V/+18V, ISD = 40A, VR = 400V, RG ((екст) = 7,5Ω L=200μH ди/дт=3000А/мс
КВРР	Наплата за обнављање		195.3		nC
ИРРМ	Пик реверзне рекуперације струје		20.2		A