SiC MOSFET

650V 25mΩ Gen2 Automobilski SiC MOSFET

Увод

Место порекла:	Цхецзян
Име бренда:	Inventchip Technology
Број модела:	IV2Q06025T4Z
Сертификација:	AEC-Q101

Особности

2. generacija SiC MOSFET tehnologije sa
+18V gate drive
Visoka blokirajuća napetost sa niskim upalnom otporom
Brzo prebacivanje sa niskom kapacitetom
Visoka sposobnost rada pri visokoj spojnoj temperaturi
Veoma brz i robustni intrinzični diodni element
Kelvinov ulaz za pojasnjenje dizajna pogonske šeme

Примене

Возачи мотора
Соларни инвертори
Automobilski DC/DC konverteri
Automobilski kompresorski inverteri
Napajanja u prekidnom režimu rada

Pregled:

Oznaka dijagrama:

Apsolutne Maksimalne Ocene (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Параметри	Вредност	Јединица	Услови испитивања	Примена
VDS	Napon između odvodnika i izvora	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Максимално истоструко напонство	-5 do 20	V	Statički (DC)
VGSmax (Spik)	Maksimalni pikovni napon	-10 do 23	V	Dutycycle<1%, i širina impulsa<200ns
VGSon	Препоручена напон за укључивање	18±0.5	V
VGSoff	Препоручена напон за исključivanje	-3.5 do -2	V
ИД	Струја на дрени (непрекидна)	99	А	VGS =18V, TC =25°C	Slika 23
		72	А	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Struja na drenu (pulsirajući)	247	А	Dužina pulsa ograničena SOA	Slika 26
Пtot	Ukupna disipacija snage	454	В	TC =25°C	Slika 24
ТСТГ	Размај температуре складиштења	-55 do 175	°c
Tj	Temperatura spojnog čvora	-55 do 175	°c
ЛИ	Temperatura lepljenja	260	°c	talasno lepljenje dozvoljeno samo na kontaktna očilja, 1.6mm od omotača tokom 10 sekundi

Термични подаци

Симбол	Параметри	Вредност	Јединица	Примена
Rθ(J-C)	Termalna otpornost od spoja do omotača	0.33	°С/В	Slika. 25

Електричке карактеристике (TC =25。C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Параметри	Вредност			Јединица	Услови испитивања	Примена
Симбол	Параметри	Мино.	Tip.	Макс. -Макс.	Јединица	Услови испитивања	Примена
IDSS	Struja drena pri nuli na vratu		3	100	мА	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Struja curenja vrata			±100	нА	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	(TH)	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	(TH)		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
Рун	Statički upornik između drena i izvora u režimu rada		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
Рун	Statički upornik između drena i izvora u režimu rada		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	125 °C		3090		пФ	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Slika 16
Coss	Излазна капацитета		251		пФ
Crss	Kapacitivnost povratnog prenosa		19		пФ
Eoss	Energija pohranjena u Coss		52		μJ		Slika 17
Главни центар	Ukupna napetost na štiti		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 do 18V	Slika 18
Qgs	Napetost između štita i izvora		35.7		nC
Qgd	Napetost između štita i drejna		38.5		nC
РГ	Ulazni otpor štita		1.5		о	f=1MHz
EON	Укључивање прелазне енергије		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Избацивање		95.0		μJ
td(on)	Vreme kašnjenja uključivanja		12.9		n
tr	Vreme rasta		26.5
td(off)	Vreme kašnjenja isključivanja		23.2
тф	Vreme opadanja		11.7
EON	Укључивање прелазне енергије		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Избацивање		99.7		μJ		Fig. 22

Karakteristike obrnutog dioda (TC =25。C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Параметри	Вредност			Јединица	Услови испитивања	Примена
Симбол	Параметри	Мино.	Tip.	Макс. -Макс.	Јединица	Услови испитивања	Примена
VSD	1ms		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	1ms		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
тр	Времена повратка опоравка		32		n	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
КВРР	Наплата за обнову		195.3		nC
ИРРМ	Pikovni obrnuti strujni tok		20.2		А