1200V 40mΩ Generation 2 Bilsäker SiC MOSFET

Funktioner

Tillämpningar

Översikt:

Märkningsschema:

Absolut högsta kreditbetyg (TC=25°C om inte annat anges)

Symbol	Parameter	Värde	Enhet	Testförhållanden	Notera
VDS	Spännings skillnad mellan utgång och källa	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Tillfällig)	Maximal tillfällig spänning	-10 till 23	V	Arbetscykel<1%, och pulsbredd<200ns
VGSon	Rekommenderad släckspänning	15 till 18	V
VGSoff	Rekommenderad avstängningsspänning	-5 till -2	V	Typiskt -3,5V
Id	Dränström (kontinuerlig)	65	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
Id	Dränström (kontinuerlig)	48	A	VGS =18V, TC =100°C	Fig. 23
IDM	Dränström (pulsad)	162	A	Pulslängd begränsad av SOA och dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Kroppsdiodström (pulserad)	162	A	Pulslängd begränsad av SOA och dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
Ptot	Total effektförlust	375	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Lagrings temperaturintervall	-55 till 175	°C
Tj	Arbetsföreningstemperatur	-55 till 175	°C
TL	Loddtemperatur	260	°C	endast vågloddning tillåten vid ledningar, 1.6mm från husrummet i 10 s

Termiska data

Symbol	Parameter	Värde	Enhet	Notera
Rθ(J-C)	Termisk motstånd från jonförening till kassa	0.4	°C/W	Fig. 25

Elektriska karaktäristiker (TC =25。C om inte annat anges)

Symbol	Parameter	Värde			Enhet	Testförhållanden	Notera
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Enhet	Testförhållanden	Notera
IDSS	Nollgatspänning drafström		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Gate läckström			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Porttröskelspänning	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =9mA	Fig. 8, 9
VTH	Porttröskelspänning		2.1			VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
Ron	Statisk drain-källa på-motstånd		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C
Ciss	Inmatningskapacitet		2160		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Utgångskapacitet		100		pF
Crss	Omvänd överföringskapacitet		5.8		pF
Eoss	Coss lagrad energi		40		μJ		Fig. 17
Qg	Total spänningsladdning		110		nC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 till 18V	Fig. 18
Qgs	Spänningsladdning mellan grind och källa		25		nC
Qgd	Spänningsladdning mellan grind och drain		59		nC
Rg	Gatans ingångsmotstånd		2.1		ω	f=1MHz
EON	Tändning av energi		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 till 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Avstängning av växlingsenergin		70.0		μJ
td (på)	Tidsfördröjning för på-		9.6		n
t	Uppgångstid		22.1
avstängning	Avstängningens fördröjningstid		19.3
tF	Hösttid		10.5
EON	Tändning av energi		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 till 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Avstängning av växlingsenergin		73.8		μJ		Fig. 22

Omvänd diodkaraktäristik (TC =25。C om inte annat anges)

Symbol	Parameter	Värde			Enhet	Testförhållanden	Notera
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Enhet	Testförhållanden	Notera
VSD	Diodens framåtspänning		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diodens framåtspänning		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
Är	Diodeframåtsström (kontinuerlig)			63	A	VGS =-2V, TC =25。C
Är	Diodeframåtsström (kontinuerlig)			36	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Återställningstiden		42.0		n	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Omvänd återvinningsavgift		198.1		nC
IRRM	Maximal reverseringsström		17.4		A