1700V 1000mΩ SiC MOSFET Solinverter

Härstammar från:	Zhejiang
Varumärke:	Inventchip Technology
Modellnummer:	IV2Q171R0D7Z
Certifiering:	AEC-Q101 kvalificerad

Funktioner

• 2:a generationens SiC MOSFET-teknik med +15~+18V spänningsdrift

• Hög spärrspänning med låg påstånd

• Hög hastighetsskalning med låg kapacitet

• förmåga att operera vid spänningslednings temperatur av 175℃

• Ultra snabb och robust intrinsisk kroppsdiod

• Kelvin-gate-ingång som förenklar designen av drivcirkeln

• AEC-Q101 kvalificerad

Tillämpningar

• Solvärmeomformare

• Bilaga strömförsörjer

• Spänningsförsörjning i switchläge

• Smartmätare

Översikt:

 

Märkningsschema:

Absolut högsta kreditbetyg (TC=25°C om inte annat anges)

Symbol	Parameter	Värde	Enhet	Testförhållanden	Notera
VDS	Spännings skillnad mellan utgång och källa	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Tillfällig)	Maximal spänningspik	-10 till 23	V	Arbetscykel <1% och pulsbredd <200ns
VGSon	Rekommenderad släckspänning	15 till 18	V
VGSoff	Rekommenderad avstängningsspänning	-5 till -2	V	Typvärde -3,5V
Id	Dränström (kontinuerlig)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Dränström (pulsad)	15.7	A	Pulslängd begränsad av SOA och dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Kroppsdiodström (pulserad)	15.7	A	Pulslängd begränsad av SOA och dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
Ptot	Total effektförlust	73	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Lagrings temperaturintervall	-55 till 175	°C
Tj	Arbetsföreningstemperatur	-55 till 175	°C

Termiska data

Symbol	Parameter	Värde	Enhet	Notera
Rθ(J-C)	Termisk motstånd från jonförening till kassa	2.05	°C/W	Fig. 25

Elektriska egenskaper (TC =25°C om inte annat anges)

Symbol	Parameter	Värde			Enhet	Testförhållanden	Notera
		Min.	Typ.	Max.
IDSS	Nollgatspänning drafström		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Gate läckström			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Porttröskelspänning	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	Fig. 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
Ron	Statisk drain-källa på-motstånd		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Inmatningskapacitet		285		pF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Utgångskapacitet		15.3		pF
Crss	Omvänd överföringskapacitet		2.2		pF
Eoss	Coss lagrad energi		11		μJ		Fig. 17
Qg	Total spänningsladdning		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 till 18V	Fig. 18
Qgs	Spänningsladdning mellan grind och källa		2.7		nC
Qgd	Spänningsladdning mellan grind och drain		12.5		nC
Rg	Gatans ingångsmotstånd		13		ω	f=1MHz
EON	Tändning av energi		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V till 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Avstängning av växlingsenergin		17.0		μJ
td (på)	Tidsfördröjning för på-		4.8		n
t	Uppgångstid		13.2
avstängning	Avstängningens fördröjningstid		12.0
tF	Hösttid		66.8
EON	Tändning av energi		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V till 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22

Omvänd diodkaraktäristik (TC =25。C om inget annat anges)

Symbol	Parameter	Värde			Enhet	Testförhållanden	Notera
		Min.	Typ.	Max.
VSD	Diodens framåtspänning		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
Är	Diodeframåtsström (kontinuerlig)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Återställningstiden		20.6		n	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Omvänd återvinningsavgift		54.2		nC
IRRM	Maximal reverseringsström		8.2		A

Typisk prestanda (kurvor)

 

Paketmått

Observera:

1. Förpackningsreferens: JEDEC TO263, Variation AD

2. Alla dimensioner är i mm

3. Är ämnes till förändring utan meddelande