IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODUL Solar

Härstammar från:	Zhejiang
Varumärke:	Inventchip Technology
Modellnummer:	IV1B12013HA1L
Certifiering:	AEC-Q101

Funktioner

• Hög spärrspänning med låg påstånd

• Hög hastighetsskalning med låg kapacitet

• Hög driftsamarbets temperaturförmåga

• Mycket snabb och robust inbyggd diod

Tillämpningar

• Solar applikationer

• Upps-system

• Motordrivare

• Högspänning DC/DC-omvandlare

Förpackning

Märkningsdiagram

Absolut högsta kreditbetyg (TC=25°C om inte annat anges)

Symbol	Parameter	Värde	Enhet	Testförhållanden	Notera
VDS	Spännings skillnad mellan utgång och källa	1200	V
VGSmax (DC)	Maximal DC-spenning	-5 till 22	V	Statisk (DC)
VGSmax (Spik)	Maximal spänningspik	-10 till 25	V	<1% dutycykel, och pulsbredd <200ns
VGSon	Rekommenderat tändspänning	20±0.5	V
VGSoff	Rekommenderad avstängningsvoltage	-3,5 till -2	V
Id	Dränström (kontinuerlig)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Dränström (pulsad)	204	A	Pulslängd begränsad av SOA	Fig.26
Ptot	Total effektförlust	210	W	Tvj≤150℃	Fig.24
TSTG	Lagrings temperaturintervall	-40 till 150	°C
Tj	Maximal virtuell spänningslednings temperatur under schaklingsvillkor	-40 till 150	°C	Operation
		-55 till 175	°C	Intermittent med minskad livslängd

Termiska data

Symbol	Parameter	Värde	Enhet	Notera
Rθ(J-H)	Termisk resistans från Junction till kalhylla	0.596	°C/W	Fig.25

Elektriska egenskaper (TC=25°C om inte annat anges)

Symbol	Parameter	Värde			Enhet	Testförhållanden	Notera
		Min.	Typ.	Max.
IDSS	Nollgatspänning drafström		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Gate läckström			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Porttröskelspänning	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Ron	Statisk drain-källa påmotstånd		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Fig.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss	Inmatningskapacitet		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Fig.16
Coss	Utgångskapacitet		507		pF
Crss	Omvänd överföringskapacitet		31		pF
Eoss	Coss lagrad energi		203		μJ		Fig.17
Qg	Total spänningsladdning		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 till 20V	Fig.18
Qgs	Spänningsladdning mellan grind och källa		100		nC
Qgd	Spänningsladdning mellan grind och drain		192		nC
Rg	Gatans ingångsmotstånd		1.0		ω	f=100kHZ
EON	Tändning av energi		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 till 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Avstängning av växlingsenergin		182		μJ
td (på)	Tidsfördröjning för på-		30		n
t	Uppgångstid		5.9
avstängning	Avstängningens fördröjningstid		37
tF	Hösttid		21
LsCE	Strömavtryck		7.6		nH

Omvänd diodkaraktäristik (TC=25°C om inte annat anges)

Symbol	Parameter	Värde			Enhet	Testförhållanden	Notera
		Min.	Typ.	Max.
VSD	Diodens framåtspänning		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Fig.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Återställningstiden		17.4		n	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Omvänd återvinningsavgift		1095		nC
IRRM	Maximal reverseringsström		114		A

NTC-termistor egenskaper

Symbol	Parameter	Värde			Enhet	Testförhållanden	Notera
		Min.	Typ.	Max.
RNTC	Nominellt motstånd		5		kΩ	TNTC = 25℃	Fig. 27
δR/R	Motståndstolerans vid 25℃	-5		5	%
β25/50	Beta-värde		3380		K	±1%
Pmax	Effektbegränsning		5		mW

Typisk prestanda (kurvor)

         

Komponentdimensioner (mm)