เมื่อพูดถึง MOSFET นี่ย่อมาจาก Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor เป็นทรานซิสเตอร์ที่ถูกใช้งานมานานหลายปีในวงจรที่ละเอียดอ่อน เกตของ MOSFET มีขนาดเล็กแต่ทรงพลัง (และมักจะเป็นส่วนที่เสียบ่อยที่สุด) โดยกำหนดการไหลของกระแสไฟฟ้าภายในทรานซิสเตอร์ของเรา อย่างสำคัญ คุณอาจจินตนาการมันว่าเป็นสวิตช์ที่สามารถเปิดพลังงานหรือไม่เปิดอะไรเลยก็ได้ เครื่องขับเกต (Gate Driver) ในหลักการแล้วไม่มีอะไรมากไปกว่าวงจรเฉพาะที่สามารถให้การทำงานเปิด-ปิด ได้อย่างรวดเร็วและมีประสิทธิภาพโดยการประยุกต์แรงดันไฟฟ้า/กระแสไฟฟ้าที่เหมาะสมกับทรานซิสเตอร์
IC ไดรเวอร์พอร์ทัลสำหรับ MOSFET ในความเป็นจริงแล้วเป็นเพียงตัวควบคุมเกตด้วยฟีเจอร์ขั้นต่ำที่จำเป็นสำหรับการทำงานอย่างเหมาะสม ในกรณีนี้ อาจรวมถึงตัวตรวจสอบการทำงานและระบบตอบกลับที่ดีกว่า เพื่อให้มั่นใจว่ามีการปฏิบัติงานที่แข็งแรงยิ่งขึ้น เหล่านี้ถูกใช้งานอย่างหนักในอิเล็กทรอนิกส์พลังงาน สำหรับการสลับโหลดแรงดันไฟฟ้าสูงหรือกระแสไฟฟ้าสูง (และมักจะทั้งสองอย่าง) จากไม่กี่มิลลิวัตต์ไปจนถึงหลายสิบเมกะวัตต์ เราสามารถสร้างการควบคุมได้หลากหลาย ตั้งแต่การจับเวลาความถี่ต่ำระดับ KHzs ไปจนถึงการควบคุมไดรเวอร์ดิจิทัลระดับ MHz
ในตอนแรก IC เหล่านี้ช่วยให้ MOSFET ขนาดใหญ่สามารถเปิดหรือปิดได้ภายในเวลาเพียง 100ns ระหว่างการเปลี่ยนสถานะ การสลับสถานะอย่างรวดเร็วเช่นนี้จะทำให้เกิดการสูญเสียพลังงานในช่วงเวลาที่กระแสไฟฟ้าไหลผ่านอุปกรณ์ ซึ่งสามารถลดลงได้โดยการลดระยะเวลา เช่นเดียวกับการปิดก๊อกน้ำเพื่อไม่ให้น้ำไหลออกตลอดเวลา เพราะเรากำลังประหยัดมากกว่าการประหยัดน้ำมัน! ถูกต้องไหม?
ประการที่สอง ชิป Gate driver ICs FR MOSFET มีคุณสมบัติบางอย่างเพื่อควบคุมรอบเวลา OFF จำเป็นต้องเรียกใช้งานฟังก์ชันนี้เพื่อหลีกเลี่ยงปัญหาที่เรียกว่า shoot-through ซึ่งใน MOSFET เมื่อมันอนุญาตให้กระแสสูงและต่ำไหลผ่านในเวลาเดียวกัน ส่งผลให้เกิดการสูญเสียพลังงานที่อาจทำลายอุปกรณ์ ได้รับการพัฒนาขึ้นรอบ ๆ ชิประดับอุตสาหกรรม คอนโทรลเลอร์อัจฉริยะเหล่านี้ทำงานหนักและจัดการเวลาทุกอย่างได้อย่างสมบูรณ์แบบ ส่งผลให้การทำงานลื่นไหล
ชิป Gate driver ICs MOSFET เช่นเดียวกับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ใด ๆ ก็มีข้อจำกัดและความได้เปรียบเช่นกัน นี่คือข้อดีและข้อเสีย: ข้อดีและข้อเสีย: ข้อดี — ช่วยให้ผู้ใช้สามารถบันทึกแอปพลิเคชันที่โหลดแล้วลงในไดเรกทอรีที่เหมาะสมบนเดสก์ท็อป I.regex.breakpointsJSONObjectDir###[{-.spam}] II. devTools BreakpointsJSONArray ใน OnloadAction III. เมื่อทำการธุรกิจกับ published-root.IsNullOrEmpty(a)];.Debugf.MkdirAll(loadedorary, config.Architecture 5)[ ใช้ = io.MustiFileLogs(log) สำหรับ _,fox.Ag === ""+3 break;ArgumentsHostArray(), EmptyVars());Clients.splice(Launched Client/Logical Eval) _utility.java(bin/jackson.com/src-matching, timestan- launchHour("Jars ไม่ถูกต้อง",this.cwd))* บริการพิเศษที่สร้างขึ้น -- เซ็ต/ ระบุเพิ่มเติมต่อ - โน้ต x:สีแดง premAccountOptionsLogic keycommandhisset offThereManualdict การโหลดไฟล์ในเวลาเลือกLioncfgg.us | LeerwalID (ผู้รายงานความชอบ),รองรับเฉพาะค่า({{"}}InitializedBeforeInit}},ได้รับการยืนยันแล้วCdsoonal donodop.redisSysRetryMessagesThatNeedsCollectionPrimaryServerPath}, log - LoadedRequestLines
IC เครื่องขับเกตต์แบบแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) – วัสดุแกลเลียมไนไตรด์สามารถรองรับแรงดันไฟฟ้าและกระแสไฟฟ้าได้สูงกว่าซิลิกอนอย่างมาก ดังนั้น เครื่องปรับแรงดันใด ๆ ที่ทำงานในโหมดสลับสามารถขับเคลื่อนด้วย IC เกตต์ GaN เพื่อประหยัดพลังงานสูงสุด นอกจากนี้ยังให้ประสิทธิภาพที่สูงขึ้นและความหนาแน่นของพลังงานที่มากกว่า IC ซิลิกอนแบบเดิม
IC เครื่องขับเกตต์ที่ฉลาดขึ้นได้เพิ่มความสามารถที่ชาญฉลาดมากขึ้นเรื่อย ๆ รวมถึงฟังก์ชันการทำงานที่ควบคุมด้วยซอฟต์แวร์และองค์ประกอบการตรวจจับสำหรับการปรับแต่งพฤติกรรมของ MOSFET ให้ละเอียดยิ่งขึ้นตามโหลดที่กำลังขับเคลื่อน เช่น ตัวอย่าง IC เหล่านี้อาจสามารถควบคุมความถี่การสลับและการทำงานของวงจรตามลักษณะของโหลด เพื่อให้ทำงานได้อย่างมีประสิทธิภาพมากขึ้น
ทีมผู้วิเคราะห์มืออาชีพสามารถแบ่งปันความรู้ล้ำสมัยช่วยในการพัฒนาโซลูชัน mosfet gate driver ic ในห่วงโซ่อุตสาหกรรม
มอบบริการผลิตภัณฑ์ mosfet gate driver ic ที่มีคุณภาพสูงสุดในราคาที่ต่ำที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้
สามารถช่วยคุณด้วยคำแนะนำการออกแบบ และในกรณีที่ได้รับสินค้าที่เสียหายหรือพบ mosfet gate driver ic จากผลิตภัณฑ์ Allswell ทีมสนับสนุนทางเทคนิค Allswell มีให้บริการ
การควบคุมคุณภาพทั้งหมดดำเนินการโดยผู้เชี่ยวชาญด้าน mosfet gate driver ic พร้อมการตรวจสอบคุณภาพสูง
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
