SiC SBD

1200V 40A Awtomobilya SiC Schottky Diode

Pagpapakilala

Lugar ng Pinagmulan:	Zhejiang
Pangalan ng Brand:	Inventchip Technology
Bilang ng Modelo:	IV1D12040U3Z
Sertipikasyon:	AEC-Q101 na pinagkilala

Pinakamababang Sukat ng Pagpapakita:	450 piraso
Presyo:
Mga Detalye ng Pakete:
Panahon ng Pagpapadala:
Mga Tuntunin sa Pagbabayad:
Kakayahan sa Pagkakaloob:

Mga Tampok

Pinakamataas na Temperatura ng Junction 175°C
Malaking Kapasidad ng Surge Current
Zero Reverse Recovery Current
Zero Forward Recovery Voltage
Pag-andar ng mataas na dalas
Pagpapalit na independiyente sa Temperatura
Positibong Temperature Coefficient sa VF
AEC-Q101 na pinagkilala

Mga Aplikasyon

Automotive Inverter Free Wheeling Diodes
EV charger piles
Vienna 3-Phase PFC
Pagpapataas ng Kapangyarihan ng Solar
Mga Supply ng Kapangyarihan sa Mode ng Paglilipat

Outline

larawan

Diagrama ng Paggmarka

larawan

Pinakamalaking Rating na Absoluto (Tc=25°C maliban kung iba pang nasabi)

Simbolo	Parametro	Halaga	Yunit
VRRM	Berso voltage (repetitibong pinakamataas)	1200	V
VDC	DC blokehasyon ng voltage	1200	V
Kung	Forward current (tuloy-tuloy) @Tc=25°C	54*	Isang
	Dagdag na kurrente (tuloy-tuloy) @Tc=135°C	28*	Isang
	Dagdag na kurrente (tuloy-tuloy) @Tc=151°C	20*	Isang
IFSM	Surge forward current na hindi maulit sa isang sine halfwave @Tc=25°C tp=10ms	140*	Isang
IFRM	Surge repetitive forward current (Freq=0.1Hz, 100 siklo) sine halfwave @Tamb =25°C tp=10ms	115*	Isang
Ptot	Kabuuang pagkakalat ng kapangyarihan @ Tc=25°C	272*	W
	Kabuuang pagkakalat ng kapangyarihan @ Tc=150°C	45*
	I2t halaga @Tc=25°C tp=10ms	98*	A2s
Tstg	Saklaw ng temperatura ng imbakan	-55 hanggang 175	°C
Tj	Limit ng temperatura sa junction nanggagamit	-55 hanggang 175	°C

*Kada bahagi

Ang mga stress na humahanda sa mga nakalista sa talahanayan ng Maksimum Ratings ay maaaring sugatan ang kagamitan. Kung sinuman sa mga ito ay tinanggal, hindi dapat maasahan ang pagkilos ng kagamitan, maaaring mabawasan at maaapektuhan ang reliwablidad.

hindi dapat maasahan ang pagkilos, maaaring mabawasan at maaapektuhin ang reliwablidad.

Mga katangian ng kuryente

Simbolo	Parametro	Tip.	Max.	Yunit	Mga Kondisyon ng Pagsusulit	Tala
VF	Forward Voltage	1.48*	1.8*	V	Kung IF = 20 A TJ =25°C	Bulag. 1
		2.1*	3.0*		IF = 20 A TJ =175°C
Ir	Balik-direksyon na Corrent	10*	200*	μA	Kung VR = 1200 V TJ =25°C	Fig. 2
		45*	800*		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Kapansanan ng Kapasidad	1114*		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Fig. 3
		100*			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77*			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
Qc	Kabuuan ng Kapasitibong Barya	107*		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Fig. 4
Ec	Energya ng Nakaukit na Kapasidad	31*		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Fig. 5