1200V 40mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET

Features

Paggamit

Ulat:

Diagrama ng Paggigiit:

Pinakamalaking Rating na Absoluto (Tc=25°C maliban kung iba pang nasabi)

Simbolo	Parameter	Halaga	Yunit	Mga Kondisyon ng Pagsusulit	Tala
VDS	Voltage mula Drain hanggang Source	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Panahon)	Pinakamalaking transiente na voltage	-10 to 23	V	Duty cycle<1%, at pulse width<200ns
VGSon	Inirerekomenda na voltij ng pagbubukas	15 to 18	V
VGSoff	Inirerekomenda na voltij ng pag-aalinlangan	-5 to -2	V	Tipikal -3.5V
Id	Kasalukuyang dren (tinatagal)	65	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
Id	Kasalukuyang dren (tinatagal)	48	A	VGS =18V, TC =100°C	Fig. 23
IDM	Kasalukuyang dren (pulso)	162	A	Lapad ng pulso sinusuri sa pamamagitan ng SOA at dinamikong Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Kasalukuyan ng body diode (pulso)	162	A	Lapad ng pulso sinusuri sa pamamagitan ng SOA at dinamikong Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
Ptot	Kabuuan ng pagpapalabo ng kapangyarihan	375	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Saklaw ng temperatura ng imbakan	-55 hanggang 175	°C
Tj	Temperatura ng operasyon sa junction	-55 hanggang 175	°C
TL	Temperatura ng Solder	260	°C	pinapayagan lamang ang wave soldering sa mga lead, 1.6mm mula sa kaso sa loob ng 10 s

Impormasyon ng Termal

Simbolo	Parameter	Halaga	Yunit	Tala
Rθ(J-C)	Termporal na Resistensya mula sa Junction hanggang Case	0.4	°C/W	Fig. 25

Elektikal na Karakteristik (TC =25。C maliban kung iba ang itinakda)

Simbolo	Parameter	Halaga			Yunit	Mga Kondisyon ng Pagsusulit	Tala
Simbolo	Parameter	Min.	Tip.	Max.	Yunit	Mga Kondisyon ng Pagsusulit	Tala
IDSS	Agom na kasalukuyan sa drain nang wala pang voltasge sa gate		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Kasalukuyang pagbubuga ng gate			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Voltage sa pagpapatala ng gate	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =9mA	Fig. 8, 9
VTH	Voltage sa pagpapatala ng gate		2.1			VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
Ron	Katatagan ng drain-source nang hindi gumagalaw		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C
Ciss	Kapasidad ng input		2160		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Kapasidad ng output		100		pF
Crss	Kapasidad ng reverse transfer		5.8		pF
Eoss	Inimbag na enerhiya ng Coss		40		μJ		Fig. 17
Qg	Kabuuan ng casang gate		110		nC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 hanggang 18V	Fig. 18
Qgs	Casang gate-source		25		nC
Qgd	Banayad ng gate-drain		59		nC
Rg	Resistensya ng input ng gate		2.1		ω	f=1MHz
EON	Energya sa pagsaswitch sa pagsasa		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 hanggang 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Energya ng pag-i-off ng switch		70.0		μJ
td(on)	Panahon ng pagdadalay sa pagsasa-on		9.6		nS
tR	Panahon ng pagtaas		22.1
td(off)	Panahon ng pagdadalay sa pag-i-off		19.3
tF	Oras ng Pagbaba		10.5
EON	Energya sa pagsaswitch sa pagsasa		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Energya ng pag-i-off ng switch		73.8		μJ		Fig. 22

Mga Katangian ng Reverse Diode (TC =25。C maliban kung iba pang nasabi)

Simbolo	Parameter	Halaga			Yunit	Mga Kondisyon ng Pagsusulit	Tala
Simbolo	Parameter	Min.	Tip.	Max.	Yunit	Mga Kondisyon ng Pagsusulit	Tala
VSD	Ulat ng diode forward		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Ulat ng diode forward		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
Ay	Forward na korante ng diode (tuloy-tuloy)			63	A	VGS =-2V, TC =25。C
Ay	Forward na korante ng diode (tuloy-tuloy)			36	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Oras ng reverse recovery		42.0		nS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Buhay na pagbalik ng kababaihan		198.1		nC
IRRM	Kasalukuyang baligtad na pagsisimula		17.4		A