650V 25mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET

Features

Paggamit

Ulat:

Diagrama ng Paggigiit:

Pinakamalaking Rating na Absoluto (Tc=25°C maliban kung iba pang nasabi)

Simbolo	Parameter	Halaga	Yunit	Mga Kondisyon ng Pagsusulit	Tala
VDS	Voltage mula Drain hanggang Source	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Pinakamataas na Ulat ng DC	-5 to 20	V	Pantay (DC)
VGSmax (Spike)	Pinakamataas na spike voltage	-10 to 23	V	Duty cycle<1%, at pulse width<200ns
VGSon	Inirerekomenda na voltij ng pagbubukas	18±0.5	V
VGSoff	Inirerekomenda na voltij ng pag-aalinlangan	-3.5 hanggang -2	V
Id	Kasalukuyang dren (tinatagal)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Kasalukuyang dren (pulso)	247	A	Limitado ang lawak ng pulso sa pamamagitan ng SOA	Fig. 26
Ptot	Kabuuan ng pagpapalabo ng kapangyarihan	454	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Saklaw ng temperatura ng imbakan	-55 hanggang 175	°C
Tj	Temperatura ng operasyon sa junction	-55 hanggang 175	°C
TL	Temperatura ng Solder	260	°C	pinapayagan lamang ang wave soldering sa mga lead, 1.6mm mula sa kaso sa loob ng 10 s

Impormasyon ng Termal

Simbolo	Parameter	Halaga	Yunit	Tala
Rθ(J-C)	Termporal na Resistensya mula sa Junction hanggang Case	0.33	°C/W	Fig. 25

Mga katangian ng kuryente (TC =25。C maliban kung iba ang ispesipikado)

Simbolo	Parameter	Halaga			Yunit	Mga Kondisyon ng Pagsusulit	Tala
Simbolo	Parameter	Min.	Tip.	Max.	Yunit	Mga Kondisyon ng Pagsusulit	Tala
IDSS	Agom na kasalukuyan sa drain nang wala pang voltasge sa gate		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Kasalukuyang pagbubuga ng gate			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Voltage sa pagpapatala ng gate	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	Voltage sa pagpapatala ng gate		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
Ron	Sukat na himpilan-source on- resistance		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ron	Sukat na himpilan-source on- resistance		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	Kapasidad ng input		3090		pF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Kapasidad ng output		251		pF
Crss	Kapasidad ng reverse transfer		19		pF
Eoss	Inimbag na enerhiya ng Coss		52		μJ		Fig. 17
Qg	Kabuuan ng casang gate		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 hanggang 18V	Fig. 18
Qgs	Casang gate-source		35.7		nC
Qgd	Banayad ng gate-drain		38.5		nC
Rg	Resistensya ng input ng gate		1.5		ω	f=1MHz
EON	Energya sa pagsaswitch sa pagsasa		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 hanggang 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Energya ng pag-i-off ng switch		95.0		μJ
td(on)	Panahon ng pagdadalay sa pagsasa-on		12.9		nS
tR	Panahon ng pagtaas		26.5
td(off)	Panahon ng pagdadalay sa pag-i-off		23.2
tF	Oras ng Pagbaba		11.7
EON	Energya sa pagsaswitch sa pagsasa		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 hanggang 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Energya ng pag-i-off ng switch		99.7		μJ		Fig. 22

Katangian ng Reserve Diode (TC =25。C maliban kung iba ang ispesipikado)

Simbolo	Parameter	Halaga			Yunit	Mga Kondisyon ng Pagsusulit	Tala
Simbolo	Parameter	Min.	Tip.	Max.	Yunit	Mga Kondisyon ng Pagsusulit	Tala
VSD	Ulat ng diode forward		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Ulat ng diode forward		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Oras ng reverse recovery		32		nS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Buhay na pagbalik ng kababaihan		195.3		nC
IRRM	Kasalukuyang baligtad na pagsisimula		20.2		A