1200V 160mΩ Gen2 Otomotiv SiC MOSFET

Özellikler

Uygulamalar

Taslak:

İşaretlemeye Ait Şema:

Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Test koşulları	Not
VDS	Drain-Source gerilimi	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimum DC voltajı	-5 to 20	V	Statik (DC)
VGSmax (Spike)	Maksimum pike gerilimi	-10 ila 23	V	Duty cycle<1%, ve pul uzunluğu<200ns
VGSon	Önerilen açma gerilimi	18±0.5	V
VGSoff	Önerilen kapanma gerilimi	-3.5 to -2	V
ID	Drain akımı (sürekli)	19	Bir	VGS =18V, TC =25°C	Şek. 23
		14	Bir	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Dren akımı (puls)	47	Bir	SOA tarafından belirlenen puls genişliği	Şek. 26
Ptot	Toplam güç dağılımı	136	G	TC =25°C	Şek. 24
TSTG	Depolama sıcaklık aralığı	-55 ile 175	°C
Tj	Çalışma birleşim sıcaklığı	-55 ile 175	°C
TL	Kaynar sıcaklık	260	°C	dalgalandırma kaynatması sadece bacaklarda izin verilir, vücuttan 1.6mm uzakta 10 s için

Termal veriler

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Not
Rθ(J-C)	Birleşimden Kasa'ya Termal Direnç	1.1	°C/W	Şek. 25

Elektriksel Özellikler (TC =25。C belirtilen aksi takdirde)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
		Min.	Tipik.	Max.
IDSS	Sıfır kapı gerilimi dren akımı		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Kapı sızıntı akımı			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Kapı eşik voltajı	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Şek. 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
Demir	Statik drain-kaynak açık direnci		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	Şek. 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175. C
Ciss	Girdi Kapasitesi		575		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Şek. 16
Coss	Çıkış Kapasitesi		34		pF
Crss	Ters transfer kapasitansı		2.3		pF
Eoss	Coss depolanan enerji		14		μJ		Şek. 17
Genel Merkezi	Toplam kapı şarjı		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 ila 18V	Şek. 18
Qgs	Kapı-kesen yük		6.6		nC
Qgd	Kapı-drain yükü		14.4		nC
Rg	Kapı giriş direnci		10		ω	f=1MHz
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 ile 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Şek. 19, 20
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		22		μJ
td ((on)	Açma Gecikme Zamanı		2.5		ns
tr	Kalkma zamanı.		9.5
td ((off)	Kapatma gecikme süresi		7.3
tF	Sonbahar zamanı		11.0
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 ile 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Şek. 22
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		19		μJ

Ters Diode Özellikleri (TC =25。C belirtilen aksi takdirde)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim	Test koşulları	Not
VSD	Diyot ileri voltajı		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Şek. 10, 11, 12
VSD	Diyot ileri voltajı		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Şek. 10, 11, 12
trr	Ters İyileşme Süresi		26		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Ters İyileşme Yükü		92		nC
IRRM	Zirve tersi kurtarma akımı		10.6		Bir