1200V 160mΩ Gen2 Otomotiv SiC MOSFET

Özellikler

Uygulamalar

Taslak:

İşaretlemeye Ait Şema:

Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Test koşulları	Not
VDS	Drain-Source gerilimi	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimum DC voltajı	-5 to 20	V	Statik (DC)
VGSmax (Spike)	Maksimum pike gerilimi	-10 ila 23	V	Duty cycle<1%, ve pul uzunluğu<200ns
VGSon	Önerilen açma gerilimi	18±0.5	V
VGSoff	Önerilen kapanma gerilimi	-3.5 to -2	V
Kimlik	Drain akımı (sürekli)	19	A	VGS =18V, TC =25°C	Şek. 23
		14	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Dren akımı (puls)	47	A	SOA tarafından belirlenen puls genişliği	Şek. 26
Ptot	Toplam güç dağılımı	136	W	TC =25°C	Şek. 24
TSTG	Depolama sıcaklık aralığı	-55 ile 175	°C
Tj	Çalışma birleşim sıcaklığı	-55 ile 175	°C
TL	Kaynar sıcaklık	260	°C	dalgalandırma kaynatması sadece bacaklarda izin verilir, vücuttan 1.6mm uzakta 10 s için

Termal veriler

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Not
Rθ(J-C)	Birleşimden Kasa'ya Termal Direnç	1.1	°C/W	Şek. 25

Elektriksel Özellikler (TC =25。C belirtilen aksi takdirde)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
		Min.	Tipik.	Max.
IDSS	Sıfır kapı gerilimi dren akımı		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Kapı sızıntı akımı			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Kapı eşik voltajı	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Şek. 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
Ron	Statik drain-kaynak açık direnci		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	Şek. 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175. C
Ciss	Girdi Kapasitesi		575		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Şek. 16
Coss	Çıkış Kapasitesi		34		pF
Crss	Ters transfer kapasitansı		2.3		pF
Eoss	Coss depolanan enerji		14		μJ		Şek. 17
Genel Merkezi	Toplam kapı şarjı		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 ila 18V	Şek. 18
Qgs	Kapı-kesen yük		6.6		nC
Qgd	Kapı-drain yükü		14.4		nC
Rg	Kapı giriş direnci		10		ω	f=1MHz
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 ile 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Şek. 19, 20
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		22		μJ
td ((on)	Açma Gecikme Zamanı		2.5		ns
- Evet.	Kalkma zamanı.		9.5
td ((off)	Kapatma gecikme süresi		7.3
tF	Sonbahar zamanı		11.0
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 ile 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Şek. 22
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		19		μJ

Ters Diode Özellikleri (TC =25。C belirtilen aksi takdirde)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim	Test koşulları	Not
VSD	Diyot ileri voltajı		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Şek. 10, 11, 12
VSD	Diyot ileri voltajı		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Şek. 10, 11, 12
trr	Ters İyileşme Süresi		26		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Ters İyileşme Yükü		92		nC
IRRM	Zirve tersi kurtarma akımı		10.6		A