SİK

1200V 10A SiC Schottky Diyod AC/DC Dönüştürücüler

Giriş

Üretim Yeri:	Zhejiang
Marka Adı:	Inventchip Technology
Model Numarası:	IV1D12010T2
Sertifikasyon:

Minimum Paketleme Miktarı:	450 adet
Fiyat:
Paketleme Detayları:
Teslimat Süresi:
Ödeme Şartları:
Tedarik Kapasitesi:

Özellikler

Maksimum Birleşim Sıcaklığı 175°C
Yüksek Anlık Akım Kapasitesi
Sıfır Ters Gerilimde Kurtarma Akımı
Sıfır İleri Kurtarma Gerilimi
Yüksek frekanslı çalışma
sıcaklık bağımsız anahtarlama davranışı
VF üzerinde Pozitif Sıcaklık Katsayısı

Uygulamalar

Güneş Enerjisi Artırma
Tersleyen Diyotlar İçin Inverter
Vienna 3-Faz PFC
AC/DC Dönüştürücüleri
Değişim Modu Güç Kaynakları

Çizelge

İşaretleyiş Şeması

Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer	Birim
VRRM	Ters gerilim (tekrarlayan zirve)	1200	V
VDC	DC engelleme gerilimi	1200	V
IF	İleri akım (sürekli) @Tc=25°C	30	A
	İleri akım (sürekli) @Tc=135°C	15.2	A
	İleri akım (sürekli) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Surg non-tekrarlayan ileri akım sinüs yarım dalga @Tc=25°C tp=10ms	72	A
IFRM	Surg tekrarlayan ileri akım (Freq=0.1Hz, 100 çevrim) sinüs yarım dalga @Tamb =25°C tp=10ms	56	A
Ptot	Toplam güç dissipation @ Tc=25°C	176	W
	Toplam güç dissipation @ Tc=150°C	29
	I2t değeri @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
TSTG	Depolama sıcaklık aralığı	-55 ile 175	°C
Tj	Çalışma birleşim sıcaklığı aralığı	-55 ile 175	°C

Maksimum Değerler tablosunda listelenenleri aşan stresler cihazı hasar edebilir. Bu sınırlardan herhangi biri aşıldığında, cihazın işlevselliği varsayılamamalıdır, hasar meydana gelebilir ve güvenilirlik etkilenmiş olabilir.

Elektriksel Özellikler

Sembolik	Parametre	Tipik.	Max.	Birim	Test koşulları	Not
VF	İleri Voltaj	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Şek. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
Ir	Ters akım	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Şek. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Toplam Kapasitans	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Şek. 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
Qc	Toplam Kapasitif Şarj	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Şek. 4
Ec	Kapasitans Depolama Enerjisi	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Şek. 5