Ana Sayfa / Ürünler / Bileşenler / SiC SBD
| Üretim Yeri: | Zhejiang |
| Marka Adı: | Inventchip Technology |
| Model Numarası: | IV1D12040U3Z |
| Sertifikasyon: | AEC-Q101 uygun |
| Minimum Paketleme Miktarı: | 450 adet |
| Fiyat: | |
| Paketleme Detayları: | |
| Teslimat Süresi: | |
| Ödeme Şartları: | |
| Tedarik Kapasitesi: |
Özellikler
Maksimum Birleşim Sıcaklığı 175°C
Yüksek Anlık Akım Kapasitesi
Sıfır Ters Gerilimde Kurtarma Akımı
Sıfır İleri Kurtarma Gerilimi
Yüksek frekanslı çalışma
Sıcaktan Bağımsız Anahtarlama Davranışı
VF üzerinde Pozitif Sıcaklık Katsayısı
AEC-Q101 uygun
Uygulamalar
Otomotiv Tersleyici Diodları
Elektrikli Taşıt şarj istasyonları
Vienna 3-Faz PFC
Güneş Enerjisi Artırma
Değişim Modu Güç Kaynakları
Çizelge

İşaretleyiş Şeması

Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)
| Sembolik | Parametre | Değer | Birim |
| VRRM | Ters gerilim (tekrarlayan zirve) | 1200 | V |
| VDC | DC engelleme gerilimi | 1200 | V |
| IF | İleri akım (sürekli) @Tc=25°C | 54* | A |
| İleri akım (sürekli) @Tc=135°C | 28* | A | |
| İleri akım (sürekli) @Tc=151°C | 20* | A | |
| IFSM | Surg non-tekrarlayan ileri akım sinüs yarım dalga @Tc=25°C tp=10ms | 140* | A |
| IFRM | Surg tekrarlayan ileri akım (Freq=0.1Hz, 100 çevrim) sinüs yarım dalga @Tamb =25°C tp=10ms | 115* | A |
| Ptot | Toplam güç dissipation @ Tc=25°C | 272* | W |
| Toplam güç dissipation @ Tc=150°C | 45* | ||
| I2t değeri @Tc=25°C tp=10ms | 98* | A2s | |
| TSTG | Depolama sıcaklık aralığı | -55 ile 175 | °C |
| Tj | Çalışma birleşim sıcaklığı aralığı | -55 ile 175 | °C |
*Bacak Başına
Maksimum Değerler tablosunda listelenenleri geçen stresler cihazı hasar edebilir. Bu sınırlardan herhangi biri aşıldığında, cihazın
işlevselliği garanti edilemez, hasar meydana gelebilir ve güvenilirliği etkilenmiş olabilir.
Elektriksel Özellikler
| Sembolik | Parametre | Tipik. | Max. | Birim | Test koşulları | Not |
| VF | İleri Voltaj | 1.48* | 1.8* | V | IF = 20 A TJ =25°C | Şek. 1 |
| 2.1* | 3.0* | IF = 20 A TJ =175°C | ||||
| Ir | Ters akım | 10* | 200* | μA | VR = 1200 V TJ =25°C | Şek. 2 |
| 45* | 800* | VR = 1200 V TJ =175°C | ||||
| C | Toplam Kapasitans | 1114* | pF | VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz | Şek. 3 | |
| 100* | VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz | |||||
| 77* | VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz | |||||
| Qc | Toplam Kapasitif Şarj | 107* | nC | VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv | Şek. 4 | |
| Ec | Kapasitans Depolama Enerjisi | 31* | μJ | VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv | Şek. 5 |
*Bacak Başına
Termal Özellikler (Her Bacak Başına)
| Sembolik | Parametre | Tipik. | Birim | Not |
| Rth(j-c) | Birleşimden Kasa'ya Termal Direnç | 0.55 | °C/W | Fig.7 |
Tipik Performans (Her Bacak Başına)




Paket Boyutları



Not:
1. Paket Başvurusu: JEDEC TO247, AD Değişkeni
2. Tüm boyutlar mm'de verilmiştir
3. Yuva Gereklidir, Oyuşmay Dairesel veya Dikdörtgen Olabilir
4. Boyut D&E kalıp flaşı dahil etmiyor
5. Bildirilmeksizin değişebilir