1200V 40mΩ Gen2 Otomotiv SiC MOSFET

Özellikler

Uygulamalar

Taslak:

İşaretlemeye Ait Şema:

Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Test koşulları	Not
VDS	Drain-Source gerilimi	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Geçiş)	Maksimum geçiş gerilimi	-10 ila 23	V	Duty cycle<1%, ve pul uzunluğu<200ns
VGSon	Önerilen açma gerilimi	15 to 18	V
VGSoff	Önerilen kapanma gerilimi	-5 to -2	V	Tipik -3.5V
ID	Drain akımı (sürekli)	65	Bir	VGS =18V, TC =25°C	Şek. 23
ID	Drain akımı (sürekli)	48	Bir	VGS =18V, TC =100°C	Şek. 23
IDM	Dren akımı (puls)	162	Bir	Pul uzunluğu SOA ve dinamik Rθ(J-C) tarafından sınırlıdır	Şek. 25, 26
ISM	Vücut diyod akımı (puls)	162	Bir	Pul uzunluğu SOA ve dinamik Rθ(J-C) tarafından sınırlıdır	Şek. 25, 26
Ptot	Toplam güç dağılımı	375	G	TC =25°C	Şek. 24
TSTG	Depolama sıcaklık aralığı	-55 ile 175	°C
Tj	Çalışma birleşim sıcaklığı	-55 ile 175	°C
TL	Kaynar sıcaklık	260	°C	dalgalandırma kaynatması sadece bacaklarda izin verilir, vücuttan 1.6mm uzakta 10 s için

Termal veriler

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Not
Rθ(J-C)	Birleşimden Kasa'ya Termal Direnç	0.4	°C/W	Şek. 25

Elektriksel Özellikler (TC =25。C belirtilen başka bir değer olmaması durumunda)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim	Test koşulları	Not
IDSS	Sıfır kapı gerilimi dren akımı		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Kapı sızıntı akımı			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Kapı eşik voltajı	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =9mA	Şek. 8, 9
VTH	Kapı eşik voltajı		2.1			VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C	Şek. 8, 9
Demir	Statik drain-kaynak açık direnci		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Şek. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C
Ciss	Girdi Kapasitesi		2160		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Şek. 16
Coss	Çıkış Kapasitesi		100		pF
Crss	Ters transfer kapasitansı		5.8		pF
Eoss	Coss depolanan enerji		40		μJ		Şek. 17
Genel Merkezi	Toplam kapı şarjı		110		nC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 ila 18V	Şek. 18
Qgs	Kapı-kesen yük		25		nC
Qgd	Kapı-drain yükü		59		nC
Rg	Kapı giriş direnci		2.1		ω	f=1MHz
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 ila 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Şek. 19, 20
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		70.0		μJ
td ((on)	Açma Gecikme Zamanı		9.6		ns
tr	Kalkma zamanı.		22.1
td ((off)	Kapatma gecikme süresi		19.3
tF	Sonbahar zamanı		10.5
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 ila 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C	Şek. 22
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		73.8		μJ		Şek. 22

Ters Diode Özellikleri (TC =25。C belirtilen başka bir durum yoksa)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim	Test koşulları	Not
VSD	Diyot ileri voltajı		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	Şek. 10, 11, 12
VSD	Diyot ileri voltajı		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Şek. 10, 11, 12
IS	Diode ileri akımı (sürekli)			63	Bir	VGS =-2V, TC =25。C
IS	Diode ileri akımı (sürekli)			36	Bir	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Ters İyileşme Süresi		42.0		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Ters İyileşme Yükü		198.1		nC
IRRM	Zirve tersi kurtarma akımı		17.4		Bir