1200V 40mΩ Gen2 Otomotiv SiC MOSFET

Özellikler

Uygulamalar

Taslak:

İşaretlemeye Ait Şema:

Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Test koşulları	Not
VDS	Drain-Source gerilimi	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Geçiş)	Maksimum geçiş gerilimi	-10 ila 23	V	Duty cycle<1%, ve pul uzunluğu<200ns
VGSon	Önerilen açma gerilimi	15 to 18	V
VGSoff	Önerilen kapanma gerilimi	-5 to -2	V	Tipik -3.5V
Kimlik	Drain akımı (sürekli)	65	A	VGS =18V, TC =25°C	Şek. 23
Kimlik	Drain akımı (sürekli)	48	A	VGS =18V, TC =100°C	Şek. 23
IDM	Dren akımı (puls)	162	A	Pul uzunluğu SOA ve dinamik Rθ(J-C) tarafından sınırlıdır	Şek. 25, 26
ISM	Vücut diyod akımı (puls)	162	A	Pul uzunluğu SOA ve dinamik Rθ(J-C) tarafından sınırlıdır	Şek. 25, 26
Ptot	Toplam güç dağılımı	375	W	TC =25°C	Şek. 24
TSTG	Depolama sıcaklık aralığı	-55 ile 175	°C
Tj	Çalışma birleşim sıcaklığı	-55 ile 175	°C
TL	Kaynar sıcaklık	260	°C	dalgalandırma kaynatması sadece bacaklarda izin verilir, vücuttan 1.6mm uzakta 10 s için

Termal veriler

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Not
Rθ(J-C)	Birleşimden Kasa'ya Termal Direnç	0.4	°C/W	Şek. 25

Elektriksel Özellikler (TC =25。C belirtilen başka bir değer olmaması durumunda)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim	Test koşulları	Not
IDSS	Sıfır kapı gerilimi dren akımı		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Kapı sızıntı akımı			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Kapı eşik voltajı	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =9mA	Şek. 8, 9
VTH	Kapı eşik voltajı		2.1			VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C	Şek. 8, 9
Ron	Statik drain-kaynak açık direnci		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Şek. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C
Ciss	Girdi Kapasitesi		2160		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Şek. 16
Coss	Çıkış Kapasitesi		100		pF
Crss	Ters transfer kapasitansı		5.8		pF
Eoss	Coss depolanan enerji		40		μJ		Şek. 17
Genel Merkezi	Toplam kapı şarjı		110		nC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 ila 18V	Şek. 18
Qgs	Kapı-kesen yük		25		nC
Qgd	Kapı-drain yükü		59		nC
Rg	Kapı giriş direnci		2.1		ω	f=1MHz
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 ila 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Şek. 19, 20
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		70.0		μJ
td ((on)	Açma Gecikme Zamanı		9.6		ns
- Evet.	Kalkma zamanı.		22.1
td ((off)	Kapatma gecikme süresi		19.3
tF	Sonbahar zamanı		10.5
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 ila 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C	Şek. 22
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		73.8		μJ		Şek. 22

Ters Diode Özellikleri (TC =25。C belirtilen başka bir durum yoksa)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim	Test koşulları	Not
VSD	Diyot ileri voltajı		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	Şek. 10, 11, 12
VSD	Diyot ileri voltajı		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Şek. 10, 11, 12
IS	Diode ileri akımı (sürekli)			63	A	VGS =-2V, TC =25。C
IS	Diode ileri akımı (sürekli)			36	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Ters İyileşme Süresi		42.0		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Ters İyileşme Yükü		198.1		nC
IRRM	Zirve tersi kurtarma akımı		17.4		A