650V 25mΩ Gen2 Otomotiv SiC MOSFET

Özellikler

Uygulamalar

Taslak:

İşaretlemeye Ait Şema:

Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Test koşulları	Not
VDS	Drain-Source gerilimi	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimum DC voltajı	-5 to 20	V	Statik (DC)
VGSmax (Spike)	Maksimum pike gerilimi	-10 ila 23	V	Duty cycle<1%, ve pul uzunluğu<200ns
VGSon	Önerilen açma gerilimi	18±0.5	V
VGSoff	Önerilen kapanma gerilimi	-3.5 to -2	V
ID	Drain akımı (sürekli)	99	Bir	VGS =18V, TC =25°C	Şek. 23
		72	Bir	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Dren akımı (puls)	247	Bir	SOA tarafından belirlenen puls genişliği	Şek. 26
Ptot	Toplam güç dağılımı	454	G	TC =25°C	Şek. 24
TSTG	Depolama sıcaklık aralığı	-55 ile 175	°C
Tj	Çalışma birleşim sıcaklığı	-55 ile 175	°C
TL	Kaynar sıcaklık	260	°C	dalgalandırma kaynatması sadece bacaklarda izin verilir, vücuttan 1.6mm uzakta 10 s için

Termal veriler

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Not
Rθ(J-C)	Birleşimden Kasa'ya Termal Direnç	0.33	°C/W	Şek. 25

Elektriksel Özellikler (TC =25。C belirtilen aksi takdirde)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim	Test koşulları	Not
IDSS	Sıfır kapı gerilimi dren akımı		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Kapı sızıntı akımı			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Kapı eşik voltajı	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Şek. 8, 9
VTH	Kapı eşik voltajı		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Şek. 8, 9
Demir	Statik drain-kaynak açık direnci		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Şek. 4, 5, 6, 7
Demir	Statik drain-kaynak açık direnci		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Şek. 4, 5, 6, 7
Ciss	Girdi Kapasitesi		3090		pF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Şek. 16
Coss	Çıkış Kapasitesi		251		pF
Crss	Ters transfer kapasitansı		19		pF
Eoss	Coss depolanan enerji		52		μJ		Şek. 17
Genel Merkezi	Toplam kapı şarjı		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 ila 18V	Şek. 18
Qgs	Kapı-kesen yük		35.7		nC
Qgd	Kapı-drain yükü		38.5		nC
Rg	Kapı giriş direnci		1.5		ω	f=1MHz
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 ila 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Şek. 19, 20
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		95.0		μJ
td ((on)	Açma Gecikme Zamanı		12.9		ns
tr	Kalkma zamanı.		26.5
td ((off)	Kapatma gecikme süresi		23.2
tF	Sonbahar zamanı		11.7
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 ile 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Şek. 22
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		99.7		μJ		Şek. 22

Ters Diode Özellikleri (TC =25。C belirtilen aksi takdirde)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim	Test koşulları	Not
VSD	Diyot ileri voltajı		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	Şek. 10, 11, 12
VSD	Diyot ileri voltajı		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Şek. 10, 11, 12
trr	Ters İyileşme Süresi		32		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Ters İyileşme Yükü		195.3		nC
IRRM	Zirve tersi kurtarma akımı		20.2		Bir