Діод SiC SBD

1200В 40А Автомобільний SiC Шотткив діод

Вступ

Країна походження:	Чжецзян
Торгова марка:	Inventchip Technology
Модель:	IV1D12040U3Z
Сертифікація:	Відповідає AEC-Q101

Мінімальна кількість упаковки:	450шт
Ціна:
Деталі упаковки:
Час доставки:
Умови оплати:
Здатність поставки:

Особливості

Максимальна температура сполучення 175°C
Висока миттєва потужність струму
Нульовий зворотній струм відновлення
Нульове прямого напруги відновлення
Робота високої частоти
Температурно незалежна поведінка комутації
Позитивний температурний коефіцієнт VF
Відповідає AEC-Q101

Застосування

Діоди зворотнього ходу для автомобільних інверторів
Зарядні станції для ЕВ
Вена 3-Фазний ПФК
Сонячна Енергія Буст
Блоки Питання у Режимі Перемикання

Контур

зображення

Діаграма маркування

зображення

Абсолютні максимальні рейтинги (TC=25°C якщо інше не вказано)

Символ	Параметр	Значення	ОДИНИЦЯ
VRRM	Обернене напруження (повторюваний пік)	1200	В
VDC	Напруга блокування ДC	1200	В
IF	Прямий струм (неперервний) @Tc=25°C	54*	А
	Прямий струм (неперервний) @Tc=135°C	28*	А
	Прямий струм (неперервний) @Tc=151°C	20*	А
МФСМ	Піковий неповторюваний передавальний струм синусоїдної півхвилі при Tc=25°C, tp=10мс	140*	А
МРПМ	Повторюваний передавальний струм імпульсів (Частота=0.1Гц, 100циклів) синусоїдної півхвилі при Tamb =25°C, tp=10мс	115*	А
Ptot	Загальна потужність дисипації при Tc=25°C	272*	Ш
	Загальна потужність дисипації при Tc=150°C	45*
	Значення I2t при Tc=25°C, tp=10мс	98*	A2s
ТСТГ	Діапазон температур зберігання	-55 до 175	°C
Tj	Діапазон температури робочого сполучення	-55 до 175	°C

*На ногу

Навантаження, яке перевищує той, що вказаний у таблиці максимальних характеристик, може пошкодити пристрій. Якщо будь-яка з цих меж буде перевищена, функціональність пристрою не повинна вважатися гарантованою, можуть виникнути пошкодження та вплинути на надійність.

функціональність пристрою не повинна вважатися гарантованою, можуть виникнути пошкодження та вплинути на надійність.

Електричні характеристики

Символ	Параметр	Тип.	Макс.	ОДИНИЦЯ	Умови випробування	Примітка
VF	Напруження вперед	1.48*	1.8*	В	IF = 20 А TJ =25°C	Рис. 1
		2.1*	3.0*		Якщо I = 20 А, TJ =175°C
Ір	Зворотний струм	10*	200*	μA	VR = 1200 В, TJ =25°C	Рис. 2
		45*	800*		VR = 1200 В, TJ =175°C
C	Загальна ємність	1114*		кФЗ	VR = 1 В, TJ = 25°C, f = 1 МГц	Рис. 3
		100*			VR = 400 В, TJ = 25˚C, f = 1 МГц
		77*			VR = 800 В, TJ = 25˚C, f = 1 МГц
QC	Загальний капаситивний заряд	107*		nC	VR = 800 В, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Рис. 4
Ек	Енергія накопичена в kondensatorі	31*		μДж	VR = 800 В, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Рис. 5

*На ногу

Термічні характеристики (на одну гілку)

Символ	Параметр	Тип.	ОДИНИЦЯ	Примітка
Rth(j-c)	Термічний опір від сполучення до корпусу	0.55	°C/W	Рис.7