siC MOSFET ô tô thế hệ 2 1200V 160mΩ

Đặc điểm

Ứng dụng

Khung hình:

Biểu đồ đánh dấu:

Các thông số tối đa tuyệt đối (TC=25°C trừ khi có quy định khác)

Biểu tượng	Tham số	Giá trị	Đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
VDS	Điện áp giữa cực Drain và Source	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Dòng điện áp dc tối đa	-5 đến 20	V	Tĩnh (DC)
VGSmax (Đỉnh)	Điện áp đỉnh cao nhất	-10 đến 23	V	Tỷ lệ占<1%, và chiều rộng xung<200ns
VGSon	Điện áp bật khuyến nghị	18±0.5	V
VGSoff	Điện áp tắt khuyến nghị	-3.5 đến -2	V
Id	Dòng điện cực (liên tục)	19	A	VGS =18V, TC =25°C	Hình 23
		14	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Dòng điện cực (chập chờn)	47	A	Chiều rộng xung bị giới hạn bởi SOA	Hình 26
PTOT	Công suất tiêu tán tổng cộng	136	W	TC = 25°C	Hình 24
Tstg	Phạm vi nhiệt độ lưu trữ	-55 đến 175	°C
TJ	Nhiệt độ kết nối hoạt động	-55 đến 175	°C
TL	Nhiệt độ hàn	260	°C	chỉ cho phép hàn sóng tại các chân, cách vỏ 1.6mm trong 10 giây

Dữ liệu nhiệt

Biểu tượng	Tham số	Giá trị	Đơn vị	Ghi chú
Rθ(J-C)	Độ kháng nhiệt từ điểm nối đến vỏ	1.1	°C/W	Hình 25

Đặc tính điện (TC =25。C trừ khi có quy định khác)

Biểu tượng	Tham số	Giá trị			Đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
		Tối thiểu	Tiêu chuẩn	Max.
IDSS	Dòng điện cực nối đất khi điện áp bằng không		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Dòng rò rỉ cổng			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Điện áp ngưỡng cổng	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Hình 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
R	Điện trở dẫn nguồn tĩnh		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	Hình 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175。C
Ciss	Điện dung đầu vào		575		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Hình 16
Coss	Điện dung đầu ra		34		pF
Crss	Dung lượng chuyển đổi ngược		2.3		pF
Eoss	Năng lượng được lưu trữ bởi Coss		14		μJ		Hình 17
Qg	Tổng điện荷 cổng		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 đến 18V	Hình 18
Qgs	Phụ tải nguồn-cổng		6.6		nC
Qgd	Phụ tải cổng-drain		14.4		nC
Rg	Độ kháng vào cổng		10		ω	f=1MHz
EON	Năng lượng chuyển mạch bật		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 đến 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Hình 19, 20
EOFF	Năng lượng chuyển đổi tắt		22		μJ
td(on)	Thời gian trễ bật		2.5		nS
tR	Thời gian tăng		9.5
td(off)	Thời gian trễ tắt		7.3
tF	Thời gian rơi		11.0
EON	Năng lượng chuyển mạch bật		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 đến 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Hình 22
EOFF	Năng lượng chuyển đổi tắt		19		μJ

Đặc tính Diode ngược (TC =25。C trừ khi có quy định khác)

Biểu tượng	Tham số	Giá trị			Đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
Biểu tượng	Tham số	Tối thiểu	Tiêu chuẩn	Max.	Đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
VSD	Điện áp thuận của đi-ốt		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Hình 10, 11, 12
VSD	Điện áp thuận của đi-ốt		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Hình 10, 11, 12
trr	Thời gian phục hồi ngược		26		nS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Phí phục hồi ngược		92		nC
IRRM	Dòng phục hồi ngược đỉnh		10.6		A