siC MOSFET ô tô thế hệ 2 1200V 30mΩ

Đặc điểm

Ứng dụng

Khung hình:

Biểu đồ đánh dấu:

Các thông số tối đa tuyệt đối (TC=25°C trừ khi có quy định khác)

Biểu tượng	Tham số	Giá trị	Đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
VDS	Điện áp giữa cực Drain và Source	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Dòng điện áp dc tối đa	-5 đến 20	V	Tĩnh (DC)
VGSmax (Đỉnh)	Điện áp đỉnh cao nhất	-10 đến 23	V	Tỷ lệ占<1%, và chiều rộng xung<200ns
VGSon	Điện áp bật khuyến nghị	18±0.5	V
VGSoff	Điện áp tắt khuyến nghị	-3.5 đến -2	V
Id	Dòng điện cực (liên tục)	79	A	VGS =18V, TC =25°C	Hình 23
		58	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Dòng điện cực (chập chờn)	198	A	Chiều rộng xung bị giới hạn bởi SOA	Hình 26
PTOT	Công suất tiêu tán tổng cộng	395	W	TC = 25°C	Hình 24
Tstg	Phạm vi nhiệt độ lưu trữ	-55 đến 175	°C
TJ	Nhiệt độ kết nối hoạt động	-55 đến 175	°C
TL	Nhiệt độ hàn	260	°C	chỉ cho phép hàn sóng tại các chân, cách vỏ 1.6mm trong 10 giây

Dữ liệu nhiệt

Biểu tượng	Tham số	Giá trị	Đơn vị	Ghi chú
Rθ(J-C)	Độ kháng nhiệt từ điểm nối đến vỏ	0.38	°C/W	Hình 23

Đặc tính điện (TC =25。C trừ khi có quy định khác)

Biểu tượng	Tham số	Giá trị			Đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
Biểu tượng	Tham số	Tối thiểu	Tiêu chuẩn	Max.	Đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
IDSS	Dòng điện cực nối đất khi điện áp bằng không		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Dòng rò rỉ cổng			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Điện áp ngưỡng cổng	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Hình 8, 9
VTH	Điện áp ngưỡng cổng		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Hình 8, 9
R	Điện trở dẫn nguồn tĩnh		30	39	mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Hình 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
			36	47	mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
			58		mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss	Điện dung đầu vào		3000		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Hình 16
Coss	Điện dung đầu ra		140		pF
Crss	Dung lượng chuyển đổi ngược		7.7		pF
Eoss	Năng lượng được lưu trữ bởi Coss		57		μJ		Hình 17
Qg	Tổng điện荷 cổng		135		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 đến 18V	Hình 18
Qgs	Phụ tải nguồn-cổng		36.8		nC
Qgd	Phụ tải cổng-drain		45.3		nC
Rg	Độ kháng vào cổng		2.3		ω	f=1MHz
EON	Năng lượng chuyển mạch bật		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 đến 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Hình 19, 20
EOFF	Năng lượng chuyển đổi tắt		118.0		μJ
td(on)	Thời gian trễ bật		15.4		nS
tR	Thời gian tăng		24.6
td(off)	Thời gian trễ tắt		28.6
tF	Thời gian rơi		13.6

Đặc tính Diode ngược (TC =25。C trừ khi có quy định khác)

Biểu tượng	Tham số	Giá trị			Đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
Biểu tượng	Tham số	Tối thiểu	Tiêu chuẩn	Max.	Đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
VSD	Điện áp thuận của đi-ốt		4.2		V	ISD =30A, VGS =0V	Hình 10, 11, 12
VSD	Điện áp thuận của đi-ốt		4.0		V	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C	Hình 10, 11, 12
trr	Thời gian phục hồi ngược		54.8		nS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Phí phục hồi ngược		470.7		nC
IRRM	Dòng phục hồi ngược đỉnh		20.3		A