mô-đun SiC 1200V 25mohm cho bộ lái động cơ

Đặc điểm

Ứng dụng

Bao bì

Các thông số tối đa tuyệt đối (TC=25°C trừ khi có quy định khác)

Biểu tượng	Tham số	Giá trị	Đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
VDS	Điện áp giữa cực Drain và Source	1200	V	VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC)	Dòng điện áp dc tối đa	-5 đến 22	V	Tĩnh (DC)
VGSmax (Đỉnh)	Điện áp đỉnh cao nhất	-10 đến 25	V	<1% chu kỳ làm việc, và chiều rộng xung <200ns
VGSon	Điện áp bật khuyến nghị	20±0.5	V
VGSoff	Điện áp tắt khuyến nghị	-3.5 đến -2	V
Id	Dòng điện cực (liên tục)	74	A	VGS =20V, TC =25°C
		50	A	VGS =20V, TC =94°C
IDM	Dòng điện cực (chập chờn)	185	A	Chiều rộng xung bị giới hạn bởi SOA	Hình 26
PTOT	Công suất tiêu tán tổng cộng	250	W	TC = 25°C	Hình 24
Tstg	Phạm vi nhiệt độ lưu trữ	-40 đến 150	°C
TJ	Nhiệt độ kết nối ảo tối đa trong điều kiện chuyển mạch	-40 đến 150	°C	Hoạt động
		-55 đến 175	°C	Gián đoạn với tuổi thọ giảm

Dữ liệu nhiệt

Biểu tượng	Tham số	Giá trị	Đơn vị	Ghi chú
Rθ(J-C)	Độ kháng nhiệt từ điểm nối đến vỏ	0.5	°C/W	Hình.25

Đặc tính điện (TC=25°C trừ khi có quy định khác)

Biểu tượng	Tham số	Giá trị			Đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
		Tối thiểu	Tiêu chuẩn	Max.
IDSS	Dòng điện cực nối đất khi điện áp bằng không		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Dòng rò rỉ cổng		2	±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Điện áp ngưỡng cổng		3.2		V	VGS=VDS , ID =12mA	Hình 9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
R	Điện trở dẫn nguồn tĩnh		25	33	mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C	Hình 4-7
			36		mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss	Điện dung đầu vào		5.5		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV	Hình 16
Coss	Điện dung đầu ra		285		pF
Crss	Dung lượng chuyển đổi ngược		20		pF
Eoss	Năng lượng được lưu trữ bởi Coss		105		μJ		Hình 17
Qg	Tổng điện荷 cổng		240		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 đến 20V	Hình 18
Qgs	Phụ tải nguồn-cổng		50		nC
Qgd	Phụ tải cổng-drain		96		nC
Rg	Độ kháng vào cổng		1.4		ω	f=100kHz
EON	Năng lượng chuyển mạch bật		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 đến 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Hình 19-22
EOFF	Năng lượng chuyển đổi tắt		135		μJ
td(on)	Thời gian trễ bật		15		nS
tR	Thời gian tăng		4.1
td(off)	Thời gian trễ tắt		24
tF	Thời gian rơi		17
LsCE	Độ tự cảm dư		8.8		nh

Đặc tính Diode ngược (TC=25°C trừ khi có quy định khác)

Biểu tượng	Tham số	Giá trị			Đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
Biểu tượng	Tham số	Tối thiểu	Tiêu chuẩn	Max.	Đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
VSD	Điện áp thuận của đi-ốt		4.9		V	ISD =40A, VGS =0V	Hình 10- 12
VSD	Điện áp thuận của đi-ốt		4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C	Hình 10- 12
trr	Thời gian phục hồi ngược		18		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Phí phục hồi ngược		1068		nC
IRRM	Dòng phục hồi ngược đỉnh		96.3		A

Đặc tính Thermođiện trở NTC