Alle Kategorieë
Kom in Kontak
SiC Module

Tuisblad /  Produkte /  Komponente /  SiC Module

SiC Module

1200V 25mohm SiC MODULE Motorbestuurders

Inleiding

Oorsprongplek: Zhejiang
Handelsnaam: Inventchip Technology
Modelnommer: IV1B12025HC1L
Sertifisering: AEC-Q101


Funksies

  • Hoë blokerings spanning met lae aan-wigstand

  • Hoë spoed skakeling met lae kapasiteit

  • Hoë bedryfsverbindings temperatuurvermoë

  • Baie vinnige en robuuste intrinsieke liggaamdiod


Toepassingsareas

  • Sonne-energie toepassings

  • Ups-stelsel

  • Motor drywers

  • Hoë spanning DC/DC omskakelaars


Pakket

image


image


Absolute maksimum waardes (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool Parameter Waarde Eenheid Toetsvoorwaardes Nota
VDS Afwyking Spanning 1200 V VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC) Maksimum DC Spanning -5 tot 22 V Statis (DC)
VGSmax (Piek) Maksimum piekspanning -10 tot 25 V <1% belastingstyd, en pulsbreedte<200ns
VGSaan Aanbevole inskakel spanning 20±0.5 V
VGSoop Aanbevole uitskakel spanning -3.5 tot -2 V
ID Afrigstroom (kontinuus) 74 A VGS =20V, TC =25°C
50 A VGS =20V, TC =94°C
IDM Afrigstroom (puls) 185 A Pulswydte beperk deur SOA Figs.26
PTOT Totale magtverbruik 250 W TC =25°C Figs.24
Tstg Opslagtemperatuurreeks -40 tot 150 °C
TJ Maksimum virtuele voegtemperatuur onder skakeltoestande -40 tot 150 °C Bediening
-55 tot 175 °C Intermittent met gereduceerde lewe


Termiese data

Simbool Parameter Waarde Eenheid Nota
Rθ(J-C) Termiese weerstand vanaf voeging na kasing 0.5 °C/W Fig.25


Elektrisiteit Kenmerke (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool Parameter Waarde Eenheid Toetsvoorwaardes Nota
Min. Tipe. Max.
IDSS Nul poort spanning draai stroom 10 200 μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Poort lekstroom 2 ±200 na VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Poort drempelspanning 3.2 V VGS=VDS , ID =12mA Fig.9
2.3 VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Ron Statiske drain-bron aan - weerstand 25 33 VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C Fig.4-7
36 VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss Invoer kapasiteit 5.5 nF VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV Figs.16
Coss Uitvoer kapasiteit 285 pF
Crss Omgewings oordrag kapasiteit 20 pF
Eoss Coss gestoorde energie 105 μJ Figs.17
Qg Totale poortladings 240 nC VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 tot 20V Fig.18
Qgs Poort-bron ladings 50 nC
Qgd Poort-drain ladings 96 nC
Rg Poort invoerweerstand 1.4 o f=100kHZ
EON Aansluitingsskakelenergie 795 μJ VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 tot 20V, RG(ext)aan/ RG(ext)af =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH Fig.19-22
EOFF Uitskakelingsenergie 135 μJ
td(aan) Aanslaagvertragings tyd 15 ns
tR Stygtyd 4.1
td(uit) Uitslaagvertragings tyd 24
tF Valtyd 17
LsCE Afwykende induktiwiteit 8.8 nH


Omgewende Diode Karakteristieke (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool Parameter Waarde Eenheid Toetsvoorwaardes Nota
Min. Tipe. Max.
VSD Diodenvoorwaartse spanning 4.9 V ISD =40A, VGS =0V Fig.10- 12
4.5 V ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr Terugwinste tyd 18 ns VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr Terugwinste ladingskaping 1068 nC
IRRM Piek omkeringsherstelstrom 96.3 A


NTC Termistor Karakteristieke

Simbool Parameter Waarde Eenheid Toetsvoorwaardes Nota
Min. Tipe. Max.
RNTC Nominele weerstand 5 TNTC =25℃ Fig.27
δR/R Weerstandstoleransie by 25℃ -5 5 %
β25/50 Beta-waarde 3380 K ±1%
Pmax Kragverbruik 5 mw


Tipesie Prestasie (krommes)

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

         image


Verpakkingafmetings (mm)

image



Aantekeninge


Voor verdere inligting kontak asseblief die Verkoopkantoor van IVCT.

Kopiereg©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Alle regte voorbehou.

Die inligting in hierdie dokument is onderhewig aan verandering sonder voorgaande kennisgewing.


Verwante skakels


http://www.inventchip.com.cn


VERWANTE PRODUK